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SK海力士發(fā)布全球首款321層1Tb NAND閃存UFS 4.1解決方案

發(fā)布時(shí)間:2025-5-22 10:30    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: SK海力士 , NAND , 閃存 , UFS4.1
SK海力士今日正式宣布,成功研發(fā)出搭載全球最高​​321層1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND閃存​​的移動(dòng)端解決方案產(chǎn)品UFS 4.1。該產(chǎn)品以革命性技術(shù)創(chuàng)新突破行業(yè)瓶頸,重新定義高性能、低功耗與輕薄設(shè)計(jì)的完美平衡,為智能手機(jī)端側(cè)AI(On-device AI)應(yīng)用提供強(qiáng)大支持,并鞏固SK海力士在旗艦移動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。



​​AI時(shí)代賦能:性能與低功耗兼得​​

隨著端側(cè)AI技術(shù)的快速發(fā)展,用戶(hù)對(duì)移動(dòng)設(shè)備的計(jì)算性能與續(xù)航能力提出更高要求。SK海力士此次推出的UFS 4.1產(chǎn)品專(zhuān)為優(yōu)化AI工作負(fù)載設(shè)計(jì),搭載的321層NAND閃存通過(guò)優(yōu)化存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)與數(shù)據(jù)傳輸機(jī)制,實(shí)現(xiàn)了​​能效7%提升​​,為智能手機(jī)提供更持久的續(xù)航表現(xiàn)。同時(shí),其厚度縮減至​​僅0.85mm​​,較上一代產(chǎn)品減薄15%,完美適配超薄智能手機(jī)設(shè)計(jì)需求,為設(shè)備形態(tài)創(chuàng)新預(yù)留空間。

​​性能領(lǐng)跑行業(yè):速度與容量全面升級(jí)​​

在數(shù)據(jù)傳輸層面,該UFS 4.1產(chǎn)品支持​​順序讀取峰值速率達(dá)4300MB/s​​,可快速加載大型AI模型與媒體文件。其隨機(jī)讀取和寫(xiě)入速度較上一代分別提升​​15%和40%​​,在多任務(wù)處理、大型游戲啟動(dòng)及高分辨率圖像與視頻處理等場(chǎng)景中表現(xiàn)卓越,綜合性能位居全球UFS 4.1解決方案首位。

容量方面,新品提供​​512GB與1TB雙版本​​選擇,滿(mǎn)足從普通用戶(hù)到大容量需求者的多種場(chǎng)景需求,進(jìn)一步推動(dòng)本地存儲(chǔ)從“云端依賴(lài)”向“邊緣計(jì)算”的轉(zhuǎn)變,助力端側(cè)AI實(shí)時(shí)響應(yīng)與隱私保護(hù)。

​​技術(shù)突破:321層工藝定義行業(yè)新標(biāo)桿​​

此次發(fā)布的解決方案基于全球首款​​321層4D NAND閃存​​(1Tb容量),標(biāo)志著SK海力士在存儲(chǔ)芯片制程與堆疊技術(shù)領(lǐng)域取得重大躍進(jìn)。通過(guò)優(yōu)化垂直堆疊技術(shù)與電路設(shè)計(jì),該產(chǎn)品在單位面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高存儲(chǔ)密度,同時(shí)降低能耗與發(fā)熱,為未來(lái)智能手機(jī)向更高性能、更輕薄、更智能的方向演進(jìn)提供堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

​​量產(chǎn)計(jì)劃穩(wěn)步推進(jìn)​​

SK海力士計(jì)劃于202X年底向客戶(hù)交付樣品進(jìn)行驗(yàn)證測(cè)試,并將于​​202X年第一季度正式量產(chǎn)​​。公司高層表示:“UFS 4.1解決方案的推出,不僅展現(xiàn)了我們?cè)贜AND技術(shù)創(chuàng)新上的領(lǐng)先性,更體現(xiàn)了對(duì)未來(lái)AI終端生態(tài)的深度布局。我們期待攜手合作伙伴,加速端側(cè)AI應(yīng)用的普及,為用戶(hù)帶來(lái)更高效、更智能的移動(dòng)體驗(yàn)!
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