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8月25日，SK海力士正式宣布完成全球首款321層2Tb（太比特）QLC NAND閃存產(chǎn)品的開發(fā)并啟動量產(chǎn)。這一突破性成果不僅刷新了NAND閃存層數(shù)紀(jì)錄，更通過架構(gòu)創(chuàng)新與能效優(yōu)化，為AI數(shù)據(jù)中心、企業(yè)級存儲及消費電子市場提供了兼具大容量與高性能的解決方案，標(biāo)志著存儲技術(shù)向更高密度、更低功耗方向邁出關(guān)鍵一步。 技術(shù)突破：321層堆疊與架構(gòu)革新雙管齊下 作為全球首款突破300層門檻的QLC產(chǎn)品，321層NAND采用SK海力士第五代4D NAND技術(shù)，通過垂直堆疊321層存儲單元實現(xiàn)單芯片容量達(dá)2Tb，較前代產(chǎn)品翻倍。為應(yīng)對大容量帶來的性能衰減問題，研發(fā)團(tuán)隊創(chuàng)新性地將芯片內(nèi)獨立運行單元“平面”（Plane）數(shù)量從4個擴展至6個。這一調(diào)整使并行處理能力提升50%，數(shù)據(jù)傳輸速度翻倍至3.2GB/s，寫入性能最高提升56%，讀取性能提升18%，同時寫入功耗效率優(yōu)化23%以上。 “通過平面擴展與層數(shù)突破的協(xié)同設(shè)計，我們成功解決了QLC存儲密度與性能的固有矛盾�！盨K海力士NAND開發(fā)部門負(fù)責(zé)人鄭羽杓表示，“該產(chǎn)品在保持QLC成本優(yōu)勢的同時，性能指標(biāo)已接近TLC產(chǎn)品水平，尤其適合AI訓(xùn)練場景下海量數(shù)據(jù)的快速讀寫需求�！� 產(chǎn)業(yè)布局：從PC到AI數(shù)據(jù)中心的全面滲透 根據(jù)規(guī)劃，321層QLC NAND將分階段推向市場：2025年第四季度率先應(yīng)用于PC固態(tài)硬盤（SSD），2026年上半年拓展至企業(yè)級SSD（eSSD）及智能手機嵌入式存儲（UFS），并依托獨有的32DP封裝技術(shù)（單封裝集成32顆芯片）進(jìn)軍超高容量eSSD市場。這一技術(shù)可實現(xiàn)單封裝128TB存儲容量，較現(xiàn)有產(chǎn)品集成度提升100%，直指AI服務(wù)器對海量數(shù)據(jù)存儲的核心需求。 市場研究機構(gòu)TrendForce分析指出，隨著生成式AI訓(xùn)練數(shù)據(jù)量以每年40%的速度增長，數(shù)據(jù)中心對高性價比大容量存儲的需求持續(xù)攀升。SK海力士321層QLC NAND憑借單位GB成本降低30%的優(yōu)勢，有望在2026年占據(jù)全球QLC市場45%份額，并推動企業(yè)級SSD市場中QLC滲透率突破20%。 生態(tài)協(xié)同：全棧AI存儲戰(zhàn)略再升級 此次量產(chǎn)標(biāo)志著SK海力士“全棧AI存儲提供商”戰(zhàn)略進(jìn)入新階段。公司同步宣布與三大云服務(wù)商完成產(chǎn)品驗證，其321層QLC NAND已成功應(yīng)用于AI訓(xùn)練集群的冷數(shù)據(jù)存儲層，實測顯示在128KB塊大小下，隨機讀取延遲較HDD降低98%，能效比提升8倍。此外，通過與自研HBM內(nèi)存的協(xié)同優(yōu)化，SK海力士可為AI服務(wù)器提供從高速緩存到持久化存儲的全鏈路解決方案。 “AI算力的指數(shù)級增長對存儲系統(tǒng)提出雙重挑戰(zhàn)：既要支撐EB級數(shù)據(jù)存儲，又要滿足實時分析需求�！盨K海力士副社長Jeong Woopyo強調(diào)，“321層QLC NAND的量產(chǎn)使我們成為業(yè)內(nèi)唯一同時掌握先進(jìn)制程NAND與HBM技術(shù)的企業(yè)，這將為AI基礎(chǔ)設(shè)施帶來革命性變革�！� 據(jù)悉，SK海力士已啟動400層以上NAND技術(shù)的預(yù)研工作，并計劃在2027年前將32DP封裝技術(shù)擴展至64層芯片集成，持續(xù)鞏固其在存儲密度領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。隨著AI、5G與物聯(lián)網(wǎng)的深度融合，這場由層數(shù)突破引發(fā)的存儲產(chǎn)業(yè)變革，或?qū)⒅匦露x未來十年的數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施格局。 |
