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9月3日，SK海力士正式宣布將全球首款量產(chǎn)型高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)（High NA EUV）TWINSCAN EXE:5200B引入韓國(guó)利川M16工廠，并舉行盛大的設(shè)備入廠儀式。 技術(shù)突破：分辨率提升至8nm，集成度躍升2.9倍 此次引進(jìn)的ASML EXE:5200B設(shè)備采用全球領(lǐng)先的0.55數(shù)值孔徑（NA）光學(xué)系統(tǒng)，較現(xiàn)有EUV設(shè)備（NA 0.33）性能提升40%。其核心優(yōu)勢(shì)在于可實(shí)現(xiàn)8nm級(jí)分辨率，電路圖案繪制精密度達(dá)前代1.7倍，單芯片集成度提升2.9倍。據(jù)技術(shù)專家解析，NA值的提升使透鏡匯聚光線能力顯著增強(qiáng)，相當(dāng)于將顯微鏡的放大倍數(shù)與清晰度同步升級(jí)，從而在晶圓上刻畫出更細(xì)密的電路結(jié)構(gòu)。 戰(zhàn)略意義：鞏固AI存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位 SK海力士未來(lái)技術(shù)研究院院長(zhǎng)車宣龍?jiān)趦x式上強(qiáng)調(diào)："該設(shè)備將簡(jiǎn)化現(xiàn)有EUV工藝流程，加速下一代存儲(chǔ)器研發(fā)進(jìn)程。"作為全球HBM（高帶寬內(nèi)存）市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者，SK海力士近期剛完成HBM3E的量產(chǎn)交付，其1.18TB/s的數(shù)據(jù)處理速度已創(chuàng)行業(yè)紀(jì)錄。而High NA EUV的引入，將助力公司開(kāi)發(fā)更先進(jìn)的1γ（1-gamma）制程DRAM及千層級(jí)3D NAND閃存，滿足AI訓(xùn)練對(duì)存儲(chǔ)器容量與能效的嚴(yán)苛需求。 產(chǎn)業(yè)影響：重塑全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈格局 ASML韓國(guó)公司總經(jīng)理金丙燦透露，High NA EUV設(shè)備年產(chǎn)能僅5-6臺(tái)，單臺(tái)成本超26億元人民幣。此前英特爾曾包攬2025年上半年全部產(chǎn)能，SK海力士此次突破性引進(jìn)，彰顯其技術(shù)投入的決心與供應(yīng)鏈協(xié)同能力。行業(yè)分析師指出，此舉將幫助SK海力士在2026年后量產(chǎn)的1γ DRAM上實(shí)現(xiàn)30%的能效提升，同時(shí)降低單位存儲(chǔ)成本，強(qiáng)化其在數(shù)據(jù)中心、自動(dòng)駕駛等高增長(zhǎng)市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。 生態(tài)協(xié)同：MR-MUF封裝技術(shù)再升級(jí) 配合先進(jìn)光刻設(shè)備，SK海力士同步優(yōu)化了芯片封裝工藝。其獨(dú)有的Advanced MR-MUF技術(shù)通過(guò)改進(jìn)液態(tài)保護(hù)材料注入方式，使HBM3E的散熱效率較前代提升10%。這種"精密制造+高效封裝"的組合拳，使得單顆HBM3E芯片可支持每秒230部全高清電影的數(shù)據(jù)傳輸，為生成式AI大模型訓(xùn)練提供硬件支撐。 未來(lái)展望：瞄準(zhǔn)2030技術(shù)愿景 SK海力士制造技術(shù)擔(dān)當(dāng)李秉起副社長(zhǎng)透露，M16工廠將基于High NA EUV設(shè)備構(gòu)建"無(wú)人化智能產(chǎn)線"，通過(guò)數(shù)字孿生技術(shù)實(shí)現(xiàn)制程參數(shù)的實(shí)時(shí)優(yōu)化。公司計(jì)劃到2030年將EUV技術(shù)覆蓋90%以上的先進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)品，并在3D NAND領(lǐng)域挑戰(zhàn)500層堆疊技術(shù)。隨著今日設(shè)備的正式入場(chǎng)，全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)正式進(jìn)入"亞納米級(jí)"競(jìng)爭(zhēng)新階段。 |
