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閃迪（SanDisk）與SK海力士近日聯(lián)合宣布，雙方已簽署一份具有里程碑意義的合作備忘錄（MOU），將共同制定高帶寬閃存（High Bandwidth Flash, HBF）的行業(yè)規(guī)范。這一合作標(biāo)志著AI存儲技術(shù)邁入新階段，旨在通過創(chuàng)新架構(gòu)突破傳統(tǒng)內(nèi)存與存儲的瓶頸，為人工智能（AI）推理工作負(fù)載提供更高效、更具擴展性的解決方案。 HBF是一種融合3D NAND閃存與高帶寬存儲器（HBM）特性的革命性存儲技術(shù)，其設(shè)計目標(biāo)是在保持接近HBM帶寬水平的同時，以顯著更低的成本提供8至16倍的存儲容量。與完全依賴DRAM的傳統(tǒng)HBM方案相比，HBF通過部分采用NAND閃存替代DRAM堆棧，在犧牲極小延遲的前提下實現(xiàn)容量飛躍，并具備非易失性特性，大幅降低能耗。這一技術(shù)尤其適用于AI訓(xùn)練與推理場景中日益增長的數(shù)據(jù)密集型需求，可有效緩解當(dāng)前HBM因容量限制導(dǎo)致的高成本與散熱壓力問題。 SK海力士作為全球HBM技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，在高性能存儲解決方案領(lǐng)域擁有深厚的技術(shù)積淀與產(chǎn)業(yè)鏈整合能力。其參與HBF標(biāo)準(zhǔn)制定將為這一新興技術(shù)注入關(guān)鍵的行業(yè)經(jīng)驗，確保HBF與現(xiàn)有GPU、中介層及系統(tǒng)架構(gòu)的無縫兼容。閃迪則憑借在NAND閃存領(lǐng)域的創(chuàng)新積累，特別是其專有的BiCS NAND技術(shù)與晶圓鍵合工藝，為HBF提供了高密度、高可靠性的存儲基礎(chǔ)。雙方通過優(yōu)勢互補，不僅加速了HBF從概念驗證到商業(yè)化落地的進(jìn)程，更致力于將其塑造為跨廠商的通用標(biāo)準(zhǔn)，避免技術(shù)碎片化風(fēng)險。 根據(jù)合作計劃，閃迪目標(biāo)于2026年下半年推出首批HBF內(nèi)存樣品，并在2027年初實現(xiàn)搭載該技術(shù)的AI推理設(shè)備原型驗證。這些設(shè)備預(yù)計將覆蓋從手持終端到服務(wù)器的全場景應(yīng)用，為邊緣計算與超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心提供靈活的內(nèi)存擴展方案。SK海力士總裁兼首席開發(fā)官Hyun Ahn博士表示：“通過與閃迪合作制定HBF規(guī)范，我們正積極推動這項創(chuàng)新技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程，相信其將成為釋放AI及下一代數(shù)據(jù)工作負(fù)載全部潛力的關(guān)鍵�！遍W迪執(zhí)行副總裁兼首席技術(shù)官Alper Ilkbahar則強調(diào)：“此次合作將滿足人工智能行業(yè)對可擴展內(nèi)存的迫切需求，為全球技術(shù)生態(tài)提供超越客戶預(yù)期的創(chuàng)新工具。” 值得注意的是，HBF的推出直擊當(dāng)前AI產(chǎn)業(yè)的核心挑戰(zhàn)——如何在有限功耗與散熱預(yù)算下處理爆炸式增長的數(shù)據(jù)量。研究表明，大型語言模型（LLM）的推理效率受限于內(nèi)存容量與帶寬的平衡難題，而HBF通過分層存儲架構(gòu)（如HBM+閃存混合堆棧）提供了全新思路。盡管NAND閃存的延遲高于DRAM，但其非易失性與高容量特性使其成為冷數(shù)據(jù)存儲的理想選擇，配合HBM處理熱數(shù)據(jù)，可顯著優(yōu)化整體系統(tǒng)效率。 市場分析指出，此次合作或?qū)⒅厮蹵I存儲供應(yīng)鏈格局。三星、美光等頭部廠商均在加速布局HBM4及邏輯芯片集成技術(shù)，而閃迪與SK海力士的HBF方案為行業(yè)提供了差異化路徑。若未來Nvidia等GPU巨頭采納該標(biāo)準(zhǔn)，HBF有望成為AI基礎(chǔ)設(shè)施的標(biāo)配組件，進(jìn)一步推動存儲技術(shù)的多元化發(fā)展。閃迪此前已憑借HBF原型技術(shù)榮獲2025年閃存峰會“最具創(chuàng)新力技術(shù)”獎，并成立技術(shù)顧問委員會指導(dǎo)生態(tài)系統(tǒng)建設(shè)，彰顯其推動行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的決心。 隨著AI應(yīng)用從云端向邊緣延伸，存儲技術(shù)的突破已成為算力升級的關(guān)鍵瓶頸。閃迪與SK海力士的此次聯(lián)手，不僅為高帶寬存儲開辟了新賽道，更通過開放合作模式為行業(yè)提供了可持續(xù)發(fā)展的范本。業(yè)界預(yù)計，HBF的標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程將加速異構(gòu)內(nèi)存堆棧的普及，使DRAM、閃存乃至新型持久內(nèi)存能夠在AI加速器中共存，最終賦能下一代計算架構(gòu)突破內(nèi)存墻限制，迎接通用人工智能時代的到來。 |
