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在2025年國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上，三星電子宣布推出LPDDR5規(guī)范的最新擴展版本，將LPDDR5X內存的傳輸速率從當前10.7Gbps提升至12.7Gbps，再次刷新移動內存性能紀錄。這一突破性進展得益于兩項專有電路級技術——“四相自校準環(huán)路”和“AC耦合收發(fā)器均衡技術”，為下一代智能手機、AI邊緣計算及高性能計算設備提供更強支持。 技術突破與產品細節(jié) 三星此次推出的LPDDR5-Ultra-Pro DRAM芯片，采用行業(yè)標準的1.05V電壓，基于第五代10納米級DRAM工藝制造，容量為16Gb。通過四相自校準技術，三星解決了高速傳輸中的時鐘相位偏差問題，確保四個內部時鐘相位（0°、90°、180°、270°）精確對齊，從而提升信號完整性。同時，AC耦合收發(fā)器均衡技術通過增強時鐘信號、平衡接收器并預加重發(fā)射器，進一步優(yōu)化了高速數據傳輸的穩(wěn)定性。 
在性能測試中，該芯片在12.7Gbps速率下仍能保持可靠運行，且在0.9V低電壓下可穩(wěn)定支持10.7Gbps速率，展現了優(yōu)異的能效比。讀取和寫入裕量分別達到0.71和0.68單位間隔，信號完整性表現突出。 應用場景與行業(yè)影響 三星表示，LPDDR5-Ultra-Pro DRAM將優(yōu)先應用于AI、增強現實（AR）、虛擬現實（VR）及邊緣服務器領域。其高帶寬和低功耗特性，可顯著提升AI模型的推理速度，并支持高分辨率多媒體內容的實時處理。此外，該技術還將為筆記本電腦、平板電腦等移動設備帶來更流暢的用戶體驗和更長續(xù)航。 未來展望 此次技術升級標志著三星在LPDDR5X領域的持續(xù)領導地位。自2019年LPDDR5規(guī)范推出以來，三星已通過多次迭代將速率從6.4Gbps提升至12.7Gbps。隨著LPDDR5-Ultra-Pro DRAM的量產，預計2025年下半年相關產品將逐步上市，為全球半導體產業(yè)鏈注入新動能。 關于ISSCC 2025 國際固態(tài)電路會議（ISSCC）是全球半導體領域最具影響力的學術會議之一，2025年會議聚焦于低功耗、高性能計算及先進封裝技術，三星此次發(fā)布進一步鞏固了其在移動內存市場的優(yōu)勢地位。 |
