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來源：EXPreview 進(jìn)入2024年后，存儲芯片價格的上漲勢頭持續(xù)，鎧俠（Kioxia）選擇結(jié)束了自2022年10月起開始施行的NAND閃存減產(chǎn)策略，將生產(chǎn)線的開工率重新提升至100%。與此同時，鎧俠也在推進(jìn)其技術(shù)開發(fā)計劃，嘗試在存儲單元上堆疊更多的層數(shù)，目標(biāo)直指1000層。 據(jù)PC Watch報道，近期鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍(lán)圖，目標(biāo)2027年實現(xiàn)1000層堆疊。3D NAND閃存的層數(shù)從2014年的24層增加到2022年的238層，在8年內(nèi)增長了10倍，在鎧俠看來，以每年1.33倍的速度增長，到2027年達(dá)到1000層的水平是可能的。 
在3D NAND閃存的層數(shù)挑戰(zhàn)上，鎧俠似乎比三星更有野心。三星在上個月表示，計劃2030年之前推出超過1000層的先進(jìn)NAND閃存芯片，其中將引入新型鐵電材料應(yīng)用于NAND閃存芯片的制造上，以實現(xiàn)這一目標(biāo)。 鎧俠在去年推出了BiCS8 3D NAND閃存，為218層。利用了1Tb三層單元（TLC）和四層單元（QLC）的四個平面，通過創(chuàng)新的橫向收縮技術(shù)，將位密度提高了50%以上。如果鎧俠想在2027年實現(xiàn)1000層堆疊，可能需要過渡到五層單元（PLC）。
此外，想提高3D NAND芯片的密度不僅僅是增加層數(shù)，而且還涉及到制造過程中遇到的新問題，所涉及到的技術(shù)帶來的挑戰(zhàn)是巨大的。 |
