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7月30日，日本佳能公司在栃木縣宇都宮市為其新建的半導體光刻設備工廠舉行盛大開業(yè)儀式，標志著這家光學巨頭時隔21年再次加碼光刻機制造領域。新工廠總投資額約500億日元（約合人民幣24.37億元），總建筑面積達67,518平方米，預計將于今年9月啟動初期生產，并在明后年逐步完善鏡頭加工等核心制造能力。 此次新建的宇都宮工廠并未聚焦ASML壟斷的EUV（極紫外）或ArF（浸沒式深紫外）等尖端光刻技術，而是瞄準了i線（365nm）、KrF（248nm）等成熟光源平臺的光刻設備，以及納米壓�。∟IL）圖案化系統(tǒng)。這一戰(zhàn)略選擇與當前全球半導體產業(yè)需求變化密切相關——隨著人工智能（AI）技術爆發(fā)推動高性能芯片需求激增，傳統(tǒng)制程芯片在汽車控制、電源管理、功率器件等領域的應用持續(xù)擴大，同時先進封裝技術成為突破摩爾定律瓶頸的關鍵路徑。佳能董事長兼首席執(zhí)行官御手洗富士夫在開幕式上強調：“新工廠凝聚了佳能在光學、精密控制與材料工程領域的技術積淀，將成為支撐全球半導體產業(yè)鏈的重要基石。” 市場分析指出，佳能此次布局精準卡位了成熟制程與封裝設備的藍海市場。目前，荷蘭ASML憑借EUV技術占據全球90%以上的光刻機市場份額，但在I-line、KrF等成熟節(jié)點及后道封裝光刻機領域，佳能仍保有顯著優(yōu)勢。數據顯示，此類設備約占佳能半導體業(yè)務總銷售額的30%，其主要客戶包括臺積電等頭部晶圓代工廠商，用于中介層與多芯片模塊的精密加工。隨著AI芯片設計趨向多芯片集成，中介層布線需求大幅攀升，而佳能此前推出的前端光刻設備已成功適配此類后端工藝，形成差異化競爭力。 值得關注的是，宇都宮工廠還將承擔佳能納米壓印光刻（NIL）技術的量產任務。這項被視為EUV潛在替代方案的技術通過“蓋章式”納米圖案轉移實現芯片電路印制，無需復雜透鏡系統(tǒng)，能耗僅為EUV的10%，設備投資成本降低約40%。自2017年起，佳能便聯合鎧俠、大日本印刷等企業(yè)推進NIL技術研發(fā)，目前已實現15納米級量產能力，并計劃于2025年向美國半導體聯盟交付最新一代FPA-1200NZ2C系統(tǒng)，目標直指5納米以下制程突破。 佳能此前在2024年財報中透露，其2025年半導體光刻設備銷量目標為225臺，較上年增長9%，而宇都宮工廠的投產被視為達成這一目標的核心驅動力。行業(yè)預測顯示，新工廠全面達產后，佳能光刻設備總產能將較2021年水平翻倍，進一步鞏固其在非先進制程領域的市場地位。在ASML壟斷高端市場的格局下，佳能通過聚焦成熟技術、封裝創(chuàng)新與下一代工藝探索，正悄然重塑全球半導體制造設備的競爭版圖。 |
