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當地時間6月12日，美光科技（Micron Technology）宣布，計劃在愛達荷州、紐約州和弗吉尼亞州的設施中投資約2000億美元（約合人民幣14,341億元），用于提升美國本土半導體制造能力及先進技術研發(fā)。這一投資規(guī)模創(chuàng)下美光歷史上最大規(guī)模的擴張計劃，旨在鞏固其在全球存儲芯片市場的領導地位，并支持美國人工智能、高性能計算及汽車電子等關鍵領域的技術需求。 投資重點：制造產能與研發(fā)雙線推進 根據美光發(fā)布的聲明，此次2000億美元投資將分為兩部分： 約1500億美元用于美國本土半導體制造產能建設，包括擴建愛達荷州博伊西市的記憶芯片工廠、紐約州的高端DRAM工廠，以及弗吉尼亞州馬納薩斯工廠的現(xiàn)代化升級。 約500億美元投入研發(fā)領域，聚焦高帶寬內存（HBM）、3D NAND閃存、混合鍵合技術等前沿領域，以滿足AI和機器學習對高性能存儲器的爆發(fā)式需求。 美光總裁兼首席執(zhí)行官桑杰·梅赫羅特拉（Sanjay Mehrotra）表示：“作為唯一總部設于美國的內存芯片制造商，美光有責任通過大規(guī)模本土化投資，增強美國在半導體領域的供應鏈韌性，并推動人工智能時代的創(chuàng)新。” 創(chuàng)造就業(yè)與政策支持 美光預計，此次投資將在未來20年內創(chuàng)造約9萬個直接和間接就業(yè)崗位，覆蓋制造業(yè)、技術研發(fā)及社區(qū)服務等領域。同時，該計劃已獲得美國《芯片與科學法案》的強力支持。此前，美國商務部已于2024年12月與美光簽署協(xié)議，提供高達61.4億美元的直接撥款及貸款，用于紐約州和愛達荷州的項目建設。 戰(zhàn)略意義：應對全球半導體競爭 此次投資是美光應對全球半導體產業(yè)格局重塑的關鍵舉措。隨著長江存儲等中國企業(yè)的快速崛起，以及國際技術競爭加劇，美光通過加碼美國本土制造，意圖減少對海外供應鏈的依賴，并提升高附加值產品（如HBM和先進DRAM）的產能份額。 市場分析指出，美光的擴張計劃可能進一步擠壓競爭對手（如三星、SK海力士）的市場空間，同時推動美國在全球存儲芯片市場的份額從目前的不足2%提升至2035年的約10%。 行業(yè)影響與未來展望 美光的2000億美元投資計劃預計將帶動上下游產業(yè)鏈發(fā)展，包括半導體設備、材料及封裝測試領域。此外，該計劃還可能引發(fā)其他科技巨頭的跟進，形成新一輪美國本土半導體投資浪潮。 |
