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5月26日消息，臺媒《經(jīng)濟日報》昨晚援引半導(dǎo)體行業(yè)消息人士透露，全球存儲芯片巨頭美光科技（Micron Technology）已與臺灣地區(qū)封裝測試龍頭力成科技（Powertech Technology Inc., PTI）簽署獨家合作協(xié)議，將HBM2內(nèi)存的封裝業(yè)務(wù)全面外包給力成科技。此舉標志著美光在優(yōu)化全球產(chǎn)能配置、聚焦高端HBM技術(shù)領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步，而力成科技則借此首次涉足HBM封裝市場，拓展高端封裝技術(shù)版圖。 HBM2需求仍存，美光戰(zhàn)略聚焦HBM3E/4 盡管HBM（高帶寬內(nèi)存）技術(shù)已迭代至HBM3E量產(chǎn)、HBM4發(fā)布的階段，但市場對成熟產(chǎn)品HBM2（E）的需求仍保持穩(wěn)定。據(jù)業(yè)內(nèi)人士分析，英特爾Gaudi 3系列AI加速器及部分小型芯片企業(yè)的定制化AI ASIC仍依賴成本較低的HBM2（E）內(nèi)存。美光此次將HBM2封裝業(yè)務(wù)外包，旨在釋放其位于中國臺灣中科先進封裝基地的產(chǎn)能，集中資源攻克價值更高的HBM3E和HBM4技術(shù)。 力成科技為承接該訂單，已啟動設(shè)備購置計劃。消息稱，相關(guān)設(shè)備預(yù)計于2025年中逐步到位，下半年進入生產(chǎn)驗證階段，年底前啟動小批量試產(chǎn)，2026年實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。這一合作將填補力成在HBM封裝領(lǐng)域的空白，并推動其技術(shù)能力向高端化升級。 美光全球布局提速，力成產(chǎn)能利用率提升 近年來，美光持續(xù)加大在HBM領(lǐng)域的投入。2024年，美光宣布將HBM市場份額目標提升至20%，并計劃在臺灣臺中廠區(qū)擴建HBM產(chǎn)能。此次將HBM2封裝業(yè)務(wù)委外，既是對現(xiàn)有產(chǎn)能的優(yōu)化，也是為高端HBM量產(chǎn)騰出空間。 力成科技董事長蔡篤恭此前在法說會上透露，公司正持續(xù)增加AI相關(guān)及HBM封測技術(shù)投入，預(yù)計2025年第二季度起，與美光的合作將顯著提升其DRAM封測產(chǎn)能利用率。分析人士指出，美光與力成的合作已延續(xù)近十年，雙方在DRAM及NAND Flash封裝領(lǐng)域積累了深厚默契，此次合作將進一步鞏固雙方在存儲芯片供應(yīng)鏈中的協(xié)同效應(yīng)。 行業(yè)影響：HBM產(chǎn)能博弈加劇 隨著AI算力需求爆發(fā)，HBM已成為存儲芯片廠商爭奪的焦點。TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2025年HBM價格預(yù)計上漲5%-10%，占DRAM總產(chǎn)值比重將超三成。三星、SK海力士等廠商亦在加速擴產(chǎn)，美光通過外包HBM2封裝、聚焦高端技術(shù)，有望在競爭中占據(jù)先機。 對于力成科技而言，此次合作不僅帶來訂單增量，更標志著其從傳統(tǒng)封裝向先進封裝技術(shù)的跨越。力成正通過新建廠房、升級設(shè)備等方式，強化在HBM、3D IC等領(lǐng)域的競爭力，以應(yīng)對存儲芯片市場的高端化趨勢。 市場分析機構(gòu)指出，隨著AI算力需求持續(xù)增長，HBM市場將在未來三年保持高增速。美光與力成的合作能否助力雙方在高端市場實現(xiàn)突破，值得持續(xù)關(guān)注。 |
