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近日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在內(nèi)存芯片領(lǐng)域取得重大進(jìn)展。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)成功實(shí)現(xiàn)DDR5內(nèi)存芯片的量產(chǎn)，并且良品率已達(dá)80%。 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)自創(chuàng)立以來，專注于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等眾多領(lǐng)域。此次DDR5內(nèi)存芯片的成功量產(chǎn)，標(biāo)志著長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在技術(shù)上邁出了堅(jiān)實(shí)的步伐。即便在工藝受限只能采用DUV工藝制造的情況下，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)通過G3工藝改良達(dá)成了這一成果。 目前，已有眾多DRAM模組廠商基于長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的DDR5芯片推出高容量DDR5模塊，像金百達(dá)和光威等存儲(chǔ)品牌已經(jīng)在銷售標(biāo)注為“國(guó)產(chǎn)DDR5”的內(nèi)存模塊，這也表明長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的產(chǎn)品已經(jīng)被市場(chǎng)所接受并開始廣泛應(yīng)用。 從制造工藝的角度看，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在DDR4制造方面積累了豐富經(jīng)驗(yàn)，其DDR4芯片生產(chǎn)的良品率已在90%左右。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在合肥運(yùn)營(yíng)著兩間晶圓廠，F(xiàn)ab 1采用19nm工藝專門生產(chǎn)DDR4芯片，月產(chǎn)能為100,000片晶圓；Fab 2運(yùn)用17nm工藝生產(chǎn)DDR5芯片，月產(chǎn)能為50,000片晶圓。并且其DDR5芯片良品率從最初量產(chǎn)時(shí)的50%提升到現(xiàn)在的80%，預(yù)計(jì)到2025年底，良品率還會(huì)進(jìn)一步提升到90%的水平。 盡管長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)取得了顯著的進(jìn)步，但與國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)如三星和SK海力士等相比，仍存在一定差距。例如，三星和SK海力士等存儲(chǔ)器制造商已經(jīng)引入12nm工藝生產(chǎn)DDR5芯片，相比之下，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的產(chǎn)品在功耗和外形尺寸方面存在劣勢(shì)。 值得關(guān)注的是，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)并未滿足于當(dāng)前的成果。憑借在DDR5上的進(jìn)展，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已經(jīng)開始推進(jìn)HBM（高帶寬內(nèi)存）的開發(fā)，并且在HBM2上取得了進(jìn)展，正在進(jìn)行客戶取樣，預(yù)計(jì)2025年中期開始小批量生產(chǎn)HBM2芯片。HBM2內(nèi)存具有高帶寬和低延遲的特性，特別適用于人工智能、數(shù)據(jù)挖掘和游戲等對(duì)高數(shù)據(jù)吞吐量要求極高的應(yīng)用場(chǎng)景。 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的這一系列成果，不僅是其自身發(fā)展的重要里程碑，對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的整體提升也有著積極意義。隨著長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)能力的提升，業(yè)內(nèi)對(duì)其反應(yīng)積極，半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)和市場(chǎng)觀察者普遍認(rèn)為，這可能會(huì)對(duì)國(guó)內(nèi)外內(nèi)存市場(chǎng)格局產(chǎn)生重要影響，有望促使其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手加速技術(shù)迭代，吸引更多客戶并推動(dòng)新的合作機(jī)會(huì)。此外，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的發(fā)展也是國(guó)家政策和市場(chǎng)環(huán)境共同作用的結(jié)果，其未來的發(fā)展走向也備受消費(fèi)者、投資者以及整個(gè)行業(yè)的關(guān)注。 |
