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存儲芯片巨頭美光科技（Micron Technology）今日宣布了一項重大進(jìn)展，該公司已率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代CPU設(shè)計的1γ（1-gamma）第六代（10納米級）DRAM節(jié)點DDR5內(nèi)存樣品。 據(jù)悉，美光此次出貨的1γ DRAM節(jié)點DDR5內(nèi)存樣品是基于其先進(jìn)的10納米級制程技術(shù)打造。該內(nèi)存樣品采用了極紫外光刻（EUV）技術(shù)，這一技術(shù)使得美光能夠在更小的空間內(nèi)實現(xiàn)更高的晶體管密度，從而大幅提升內(nèi)存的性能和能效。據(jù)美光官方介紹，基于1γ節(jié)點的16Gb DDR5產(chǎn)品數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)9200MT/s，與前代產(chǎn)品相比，速率提升高達(dá)15%，同時功耗降低超過20%。 美光執(zhí)行副總裁兼首席技術(shù)與產(chǎn)品官Scott DeBoer表示：“美光在開發(fā)專有DRAM技術(shù)方面的專業(yè)知識，結(jié)合我們對EUV光刻技術(shù)的戰(zhàn)略使用，產(chǎn)生了強(qiáng)大的基于1γ的尖端內(nèi)存產(chǎn)品組合。這一成就不僅凸顯了美光的制造實力和效率，還將推動AI生態(tài)系統(tǒng)向前發(fā)展�！� 美光的1γ DRAM節(jié)點不僅性能卓越，而且具有廣泛的適用性。該內(nèi)存解決方案將首先應(yīng)用于美光的16Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品，并計劃逐步整合至美光的內(nèi)存產(chǎn)品組合中，以滿足從數(shù)據(jù)中心到邊緣設(shè)備的各種內(nèi)存需求。特別是在AI產(chǎn)業(yè)中，高性能、高能效的內(nèi)存解決方案需求日益增長，美光的1γ DRAM節(jié)點無疑將在這一領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。 具體來說，基于1γ制程的DDR5內(nèi)存解決方案將為數(shù)據(jù)中心提供高達(dá)15%的性能提升，并增強(qiáng)能效，支持服務(wù)器性能的持續(xù)擴(kuò)展。在端側(cè)AI設(shè)備中，1γ低功耗DRAM解決方案可提供更高的能效及帶寬，從而增強(qiáng)用戶體驗。此外，1γ DDR5 SODIMMs還可提升AI PC的性能，并降低20%的功耗，延長電池壽命，改善筆記本電腦的整體用戶體驗。在移動設(shè)備領(lǐng)域，1γ LPDDR5X將延續(xù)美光在移動技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，提供卓越的AI體驗。而在汽車領(lǐng)域，基于1γ的LPDDR5X內(nèi)存則可提升容量、耐用性和性能，同時傳輸速率高達(dá)9600MT/s。 美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana強(qiáng)調(diào)：“美光在推出世界上最先進(jìn)的內(nèi)存技術(shù)方面再次引領(lǐng)行業(yè)。美光的1γ DRAM節(jié)點憑借其無與倫比的能效和非凡性能是一項突破性的成就。這一產(chǎn)品將通過為從數(shù)據(jù)中心到邊緣的所有細(xì)分市場提供可擴(kuò)展的內(nèi)存解決方案，徹底改變AI生態(tài)系統(tǒng)，使我們的客戶能夠在快速發(fā)展的行業(yè)需求中保持領(lǐng)先地位�！� |
