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英偉達(dá)（NVIDIA）近日正式宣布，選定美光科技（Micron Technology）作為其下一代內(nèi)存解決方案SOCAMM（Small Outline Compression Attached Memory Module）的首家量產(chǎn)供應(yīng)商。這一決定標(biāo)志著美光在數(shù)據(jù)中心內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的重大突破，其基于LPDDR5X芯片的SOCAMM模塊憑借能效比競品高出20%的核心優(yōu)勢，擊敗三星電子、SK海力士等傳統(tǒng)巨頭，成為英偉達(dá)AI加速器平臺Rubin的關(guān)鍵組件供應(yīng)商。 技術(shù)突破：能效與散熱雙優(yōu)，重塑AI內(nèi)存架構(gòu) SOCAMM被業(yè)界視為“第二代高帶寬存儲器（HBM）”，專為數(shù)據(jù)中心AI服務(wù)器設(shè)計，旨在優(yōu)化CPU與AI工作負(fù)載的協(xié)同效率。與垂直堆疊的HBM不同，SOCAMM采用銅互連技術(shù)連接16個DRAM芯片，顯著提升散熱性能，這對高密度部署的AI服務(wù)器至關(guān)重要。 美光展示的SOCAMM模塊規(guī)格如下： 容量：128GB（基于4顆16層堆疊的16Gb DRAM芯片） 帶寬：支持8533 MT/s數(shù)據(jù)速率，是DDR5的2.5倍 能效：功耗僅為傳統(tǒng)內(nèi)存的1/3，服務(wù)器整機(jī)能耗降低45% 可擴(kuò)展性：支持熱插拔升級，模塊尺寸僅90mm×14mm，適配液冷系統(tǒng) 據(jù)英偉達(dá)測試，搭載SOCAMM的服務(wù)器在運行6700億參數(shù)大模型時，數(shù)據(jù)加載時間縮短40%，訓(xùn)練周期可減少15天。這一性能提升源于SOCAMM與HBM3E的協(xié)同架構(gòu)：Rubin平臺將配置288GB HBM3E（核心計算）與40TB SOCAMM（邊緣推理），構(gòu)建“高低速內(nèi)存協(xié)同體系”。 競爭格局：美光技術(shù)路線差異化制勝 英偉達(dá)曾委托三星、SK海力士與美光共同開發(fā)SOCAMM原型，但美光率先通過驗證流程。其核心優(yōu)勢在于： 低功耗設(shè)計：LPDDR5X芯片能效比競品高20%，每臺AI服務(wù)器搭載4個SOCAMM模塊（總計256個DRAM芯片）時，散熱效率優(yōu)勢尤為突出。 散熱管理創(chuàng)新：采用引線鍵合和銅互連技術(shù)，避免HBM依賴硅通孔（TSV）導(dǎo)致的熱堆積問題，提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。 量產(chǎn)成熟度：美光已宣布SOCAMM與HBM3E同步進(jìn)入量產(chǎn)階段，而三星等韓企的SOCAMM芯片尚未獲英偉達(dá)認(rèn)證。 行業(yè)分析師指出，美光的勝出反映了AI存儲技術(shù)從“單純堆疊”向“能效與散熱平衡”的范式轉(zhuǎn)變。隨著HBM4研發(fā)推進(jìn)（美光已啟動先進(jìn)制程base die設(shè)計），熱管理將成為下一代存儲芯片的核心競爭力。 市場影響：美光鞏固高端存儲領(lǐng)導(dǎo)地位 此次合作對美光意義重大： 財務(wù)層面：2025財年HBM銷售額突破10億美元，環(huán)比激增50%，SOCAMM的加入將進(jìn)一步擴(kuò)大其在AI數(shù)據(jù)中心市場的份額。 技術(shù)路線：美光成為全球首家同時出貨HBM3E和SOCAMM的存儲廠商，其雙軌戰(zhàn)略（HBM滿足GPU需求，SOCAMM支撐CPU與邊緣推理）已獲英偉達(dá)、AMD等核心客戶認(rèn)可。 產(chǎn)能布局：美光計劃2025年投入140億美元資本支出，擴(kuò)建新加坡、日本及紐約州HBM工廠，為長期訂單提供保障。 對于英偉達(dá)而言，SOCAMM的引入將加速其AI平臺迭代：Rubin平臺計劃于2026年發(fā)布，支持冷板+浸沒雙模式液冷，算力密度提升1.5倍，同等功耗下性能提升30%。此外，SOCAMM的可擴(kuò)展性或使其延伸至英偉達(dá)個人超級計算機(jī)項目DIGITS，推動AI技術(shù)向邊緣場景滲透。 |
