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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(五)——功率半導(dǎo)體熱容

發(fā)布時(shí)間:2025-1-17 14:43    發(fā)布者:唯樣商城
/ 前言 /

功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。

熱容

熱容Cth像熱阻Rth一樣是一個(gè)重要的物理量,它們具有相似的量綱結(jié)構(gòu)。熱容和電容,都是描述儲(chǔ)存能力物理量,平板電容器電容和熱容的對(duì)照關(guān)系如圖所示。


圖:平板電容器電容和熱容的對(duì)應(yīng)關(guān)系


圖:平板的熱容

電容Cel(單位為A·s/V)表示電荷Q和電壓U之間的關(guān)系。

熱容Cth(單位為J/K)是表示熱量Qth與溫度差ΔT之間的關(guān)系,如式1所示。換句話說,熱容可以被描述為熱量變化與溫差的比值,即:



熱量Qth可以由比熱容cth、質(zhì)量m和溫差ΔT得到,即:



某一確定材料的比熱容cth是常數(shù),單位為J/(kg·K)(見下表)。如果用式(2)代替式(1)中的ΔQth,則熱容的關(guān)系變成:



圖:材料的比熱容cth

由于質(zhì)量m=ρ·d·A(d是厚度,A是面積,ρ是密度),因此,可以利用材料的比熱容cth、相對(duì)密度ρ和體積來計(jì)算電力電子器件的熱容。



熱阻抗

利用熱阻Rth和熱容Cth,可以構(gòu)建一個(gè)類似RC低通電路的熱模型,可以用瞬態(tài)熱阻或熱阻抗Zth表示這種模型,且每一個(gè)實(shí)際對(duì)象都具有熱阻和熱容。


圖:瞬態(tài)熱阻抗Zth,包括平板的熱阻Rth和熱容Cth

上圖給出了瞬態(tài)熱阻抗Zth,包括平板的熱阻Rth和熱容Cth?梢栽跁r(shí)域中描述熱阻抗Zth,即由于熱容,溫差ΔT隨時(shí)間而變化,有:



與電氣工程中的時(shí)間常數(shù)的定義方式類似,熱容充滿的時(shí)間常數(shù)τ為:



過渡過程的時(shí)間在0~5τ,分別代表了達(dá)到終值0~99.3%的時(shí)間。超過5τ或者99.3%以后的時(shí)間被視作穩(wěn)態(tài)(即熱平衡)。這時(shí)假設(shè)ΔTmax不再改變,熱容不再對(duì)熱阻抗有任何的影響,這樣就可以把熱阻抗Zth與熱阻Rth看成相同的。

下圖給出了熱阻抗Zth隨時(shí)間的變化過程,可以通過ΔT(t)和Pth,C計(jì)算熱阻抗,即:



圖:熱阻抗Zth與時(shí)間的關(guān)系

在實(shí)際器件數(shù)據(jù)手冊(cè)中熱阻抗Zth圖X軸是時(shí)間。

實(shí)際器件的熱阻抗

功率半導(dǎo)體結(jié)對(duì)殼的瞬態(tài)熱阻抗Zthjc會(huì)在數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出,功率半導(dǎo)體常見的封裝為帶銅基板功率模塊、不帶銅基板的DCB模塊和基于銅框架結(jié)構(gòu)的單管,由于傳熱通路的材料不同,材料重量體積不同,所以瞬態(tài)熱阻抗Zthjc不同。



銅基板模塊


銅基板模塊很重,主要是有銅基板,EconoDUAL™ 3的銅基板厚度3毫米,這對(duì)瞬態(tài)熱阻抗Zthjc起著重要作用,熱量會(huì)在DCB兩面的銅層和銅基板的縱向和橫向擴(kuò)散,5τ值大于2秒(圖表摘自FF900R12ME7_B11 900A 1200V半橋模塊)。



DCB模塊:

沒有銅基板的DCB模塊輕很多,DCB的覆銅厚度0.25-0.30mm,熱容就比帶銅基板的模塊小很多,熱量只會(huì)在DCB兩面的銅層的縱向和橫向擴(kuò)散,5τ值大約為0.4秒(圖表摘自FS200R12W3T7_B11 200A 1200V三相橋模塊)。



單管:

單管沒有DCB板,芯片直接焊在了銅框架上,芯片熱量直接加在銅框架上,熱可以在銅框架上很好的擴(kuò)散,5τ值大約為0.02秒(圖表摘自IKY140N120CH7 140A 1200V IGBT單管)。



小結(jié)

本文介紹了熱容的概念,提出了瞬態(tài)的熱特性,并對(duì)比了不同封裝的瞬態(tài)熱阻,下一篇將詳細(xì)介紹瞬態(tài)熱測量。

本文轉(zhuǎn)載自:英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體,作者:陳子穎

參考資料

1. 《IGBT模塊:技術(shù)、驅(qū)動(dòng)和應(yīng)用 》機(jī)械工業(yè)出版社


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awdaaw 發(fā)表于 2025-1-19 09:09:27
很干貨的內(nèi)容,擴(kuò)展了我的知識(shí)面
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