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在碳化硅（SiC）技術(shù)的應(yīng)用中，許多工程師對(duì)SiC的性能評(píng)價(jià)存在誤解，尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)的真相（誤區(qū)一見：碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相），并介紹英飛凌如何通過技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。 常見誤區(qū)2： “SiC的性能主要看單位面積導(dǎo)通電阻Rsp，電阻越小，產(chǎn)品越好。 與平面柵相比，溝槽柵SiC的電阻在高溫下漂移更大，這是否會(huì)影響可靠性” 01、多元化的性能評(píng)價(jià)更全面 ● Rsp并非唯一評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn) 雖然Rsp越小，導(dǎo)通損耗越低，但SiC器件的終極目標(biāo)是長(zhǎng)期可靠地實(shí)現(xiàn)更高效率的能源轉(zhuǎn)換。因此，除了導(dǎo)通損耗，開關(guān)損耗、封裝技術(shù)、魯棒性和可靠性同樣重要。 ● 開關(guān)損耗的重要性 芯片自身的損耗，主要取決于開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。不同的應(yīng)用兩種損耗的比例非常不同，在高頻硬開關(guān)應(yīng)用中，開關(guān)損耗的占比等同于甚至可能超過導(dǎo)通損耗。英飛凌的第二代SiC技術(shù)，不僅在Rsp上領(lǐng)先，開關(guān)損耗也是業(yè)界最低的。（見對(duì)比圖） ● 封裝技術(shù)的優(yōu)化 英飛凌原創(chuàng)的.XT超級(jí)擴(kuò)散焊技術(shù)，取代了傳統(tǒng)焊料層，顯著降低30%的結(jié)殼熱阻，應(yīng)用中可提升15%的輸出能力。此外，英飛凌模塊的雜散電感設(shè)計(jì)也得到了優(yōu)化，減少了尖峰電壓的沖擊與震蕩。 ● 魯棒性和可靠性 魯棒性，反應(yīng)的是極端動(dòng)態(tài)工況下的性能表現(xiàn)（長(zhǎng)期滿載、長(zhǎng)期戶外等惡劣環(huán)境），英飛凌的SiC產(chǎn)品已經(jīng)擁有超過十年以上的光伏等戶外場(chǎng)景的長(zhǎng)期驗(yàn)證； 可靠性，是長(zhǎng)期工作穩(wěn)定性及使用壽命。英飛凌采用的是更為嚴(yán)苛、超越行業(yè)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，再追加上我們篩選柵極氧化層缺陷的高效測(cè)試方法，英飛凌的可靠性足得到最大化的保障。 （關(guān)于可靠性的深入解讀，請(qǐng)參考“碳化硅何以英飛凌”系列文章一） 
02、高溫漂移的真相 溝槽柵SiC的導(dǎo)通電阻在高溫下漂移更大，這是否會(huì)影響可靠性？ ● SiC材料的物理特性： SiC的導(dǎo)通電阻（Rdson）構(gòu)成中，有兩個(gè)重要的參數(shù)：溝道（Channel）電阻和外延層+JFET（Drift+JFET）電阻。外延層和JFET電阻會(huì)隨溫度升高而上升，這是SiC材料的物理特性。 ● 溝槽柵的溫度特性： 溝槽柵的溝道電阻經(jīng)過優(yōu)化，電子就像在高速隧道中行駛，溝道電阻占比更小，因此外延層電阻占比更大，導(dǎo)致Rdson隨溫度升高而上升的現(xiàn)象更顯著。這種正溫度特性并不影響器件的可靠性。 ● 平面柵的溫度特性： 平面柵的水平溝道缺陷率較高，電子在通過時(shí)容易被捕獲，但隨著溫度升高，電子的捕獲-釋放過程更加活躍，導(dǎo)致溝道電阻隨溫度上升而下降，補(bǔ)償了外延層電阻的上升。這種溫度漂移不明顯的背后，其實(shí)只是兩種電阻溫度特性相互抵消后的表現(xiàn)而已。它恰恰證明了，平面柵的水平溝道缺陷帶給導(dǎo)通性能的影響是客觀存在的，這也會(huì)對(duì)碳化硅產(chǎn)品的可靠性產(chǎn)生隱患。 從平面柵廠家的最新發(fā)布數(shù)據(jù)中，平面柵的最新一代技術(shù)也在不斷優(yōu)化溝道電阻，優(yōu)化后的平面柵，也被發(fā)現(xiàn)其最新技術(shù)的溫度漂移會(huì)比上一代更明顯。伴隨更多的碳化硅器件廠家開始轉(zhuǎn)向溝槽柵Trench技術(shù)，導(dǎo)通電阻的溫度漂移現(xiàn)象會(huì)越來越常見。 理解溫度漂移本身只是理解了參數(shù)現(xiàn)象，最終我們還是要解決客戶的實(shí)際使用問題。為了便于客戶設(shè)計(jì)，英飛凌CoolSiC™ MOSFET G2的規(guī)格書可以提供高溫下導(dǎo)通電阻的最大值，讓客戶的設(shè)計(jì)減少不必要的降額設(shè)計(jì)，從而用足器件的最大出力。 結(jié)論： ● SiC性能評(píng)價(jià)原則是多元的，有開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、封裝熱阻/雜感、魯棒性及可靠性等。 ● 高溫漂移現(xiàn)象反映了SiC的物理特性，英飛凌為用戶提供全面完善的設(shè)計(jì)參數(shù)，便于更高效地用足器件性能。
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