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SK海力士或?qū)⑴c鎧俠合作在日本生產(chǎn)HBM

發(fā)布時(shí)間:2024-3-5 12:01    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: SK海力士 , 鎧俠 , HBM
來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

據(jù)MoneyDJ報(bào)道,韓國(guó)存儲(chǔ)器巨頭 SK 海力士正在探索與日本 NAND 閃存制造商鎧俠合作,生產(chǎn)用于人工智能應(yīng)用的高帶寬存儲(chǔ)器 (HBM) 。預(yù)計(jì)生產(chǎn)將在鎧俠與西部數(shù)據(jù)合資的日本工廠進(jìn)行。另一方面,鎧俠 將根據(jù)半導(dǎo)體市場(chǎng)狀況及其與西部數(shù)據(jù)的關(guān)系評(píng)估擬議的合作。

該報(bào)告強(qiáng)調(diào),HBM(一種主要用于人工智能服務(wù)器的 DRAM)在英偉達(dá)的帶動(dòng)下,在全球范圍內(nèi)的需求正在激增。此外,根據(jù)集邦咨詢此前發(fā)布的新聞稿,2023年HBM三大原廠市占率分別為:SK海力士在46-49%、三星均在46-49%左右,美光則在4-6%左右。



對(duì)于SK海力士來說,利用鎧俠在日本巖手縣北上市和三重縣四日市的現(xiàn)有工廠生產(chǎn)HBM將能夠快速建立擴(kuò)大的生產(chǎn)系統(tǒng)。

與此同時(shí),鎧俠和西部數(shù)據(jù)的日本合資工廠目前只生產(chǎn)NAND Flash。如果他們未來能生產(chǎn)出最先進(jìn)的DRAM,也將為日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)振興計(jì)劃做出貢獻(xiàn)。

該報(bào)告進(jìn)一步指出,SK 海力士通過美國(guó)投資公司貝恩資本間接投資了鎧俠約 15% 的股份。據(jù)報(bào)道,貝恩資本正在與 SK 海力士進(jìn)行幕后談判,尋求重啟鎧俠/西部數(shù)據(jù) 合并。然而,根據(jù)時(shí)事出版社報(bào)道中引用的消息來源,“這次合作和合并是兩個(gè)單獨(dú)的討論事項(xiàng)!

據(jù)朝日新聞此前報(bào)道,鎧俠和西部數(shù)據(jù)預(yù)計(jì)將在4月底重啟合并談判。盡管去年秋天雙方的合并談判遇到了障礙,但雙方都面臨著擴(kuò)大規(guī)模的生存壓力。不過,雙方最終能否達(dá)成合并協(xié)議仍存在不確定性。



根據(jù)TrendForce 2023年第三季度的數(shù)據(jù),三星繼續(xù)保持全球第一大NAND閃存制造商的地位,占據(jù)31.4%的市場(chǎng)份額。緊隨其后的是SK集團(tuán),以20.2%的市場(chǎng)份額位居第二。西部數(shù)據(jù)以16.9%的市場(chǎng)份額占據(jù)第三位,而日本的鎧俠則占據(jù)14.5%的市場(chǎng)份額。

HBM的概念的起飛與AIGC的火爆有直接關(guān)系。

AI大模型的興起催生了海量算力需求,而數(shù)據(jù)處理量和傳輸速率大幅提升使得AI服務(wù)器對(duì)芯片內(nèi)存容量和傳輸帶寬提出更高要求。HBM具備高帶寬、高容量、低延時(shí)和低功耗優(yōu)勢(shì),目前已逐步成為AI服務(wù)器中GPU的搭載標(biāo)配。

目前,HBM產(chǎn)品以HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的順序開發(fā),最新的HBM3E是HBM3的擴(kuò)展版本。

SK海力士無疑是這波內(nèi)存熱潮中的最大受益者。SK海力士在2023年度財(cái)報(bào)當(dāng)中就曾表示,2023年在DRAM方面,公司以引領(lǐng)市場(chǎng)的技術(shù)實(shí)力積極應(yīng)對(duì)了客戶需求,公司主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的營(yíng)收較2022年分別成長(zhǎng)4倍和5倍以上。

近日,SK海力士副總裁Kim Ki-tae(金基泰)在一篇博文中表示,雖然2024年才剛開始,但今年SK海力士旗下的HBM已經(jīng)全部售罄。同時(shí),公司為了保持市場(chǎng)領(lǐng)先地位,已開始為2025年預(yù)作準(zhǔn)備。

金基泰解釋稱,雖然外部的不穩(wěn)定因素仍在,但今年內(nèi)存市場(chǎng)有望逐漸加溫。其中原因包括,全球大型科技客戶的產(chǎn)品需求恢復(fù)。此外,PC、智能手機(jī)等設(shè)備對(duì)于的AI應(yīng)用,不僅會(huì)提升HBM3E銷量,DDR5、LPDDR5T等產(chǎn)品需求也有望增加。

值得一提的是,在去年12月底財(cái)報(bào)會(huì)議上上,美光CEO Sanjay Mehrotra對(duì)外透露,得益于生成式AI的火爆,推動(dòng)了云端高性能AI芯片對(duì)于高帶寬內(nèi)存(HBM)的旺盛需求,美光2024年的HBM產(chǎn)能預(yù)計(jì)已全部售罄。其中,2024年初量產(chǎn)的HBM3E有望于2024會(huì)計(jì)年度創(chuàng)造數(shù)億美元的營(yíng)收。

金基泰強(qiáng)調(diào),HBM的銷售競(jìng)爭(zhēng)力也是基于“技術(shù)”。這是因?yàn),為了及時(shí)應(yīng)對(duì)AI內(nèi)存需求快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)形勢(shì),首先確保客戶所需的規(guī)格最為重要。其次,察覺市場(chǎng)變化并提前做好準(zhǔn)備也很有效。

如此來看,高階HBM的競(jìng)爭(zhēng)才剛剛開始,雖然目前HBM產(chǎn)品占整體存儲(chǔ)的出貨量仍然非常小,長(zhǎng)期來看,隨著消費(fèi)電子產(chǎn)品向AI化發(fā)展,對(duì)于高算力、高存儲(chǔ)、低能耗將是主要訴求方向,鑒于此預(yù)計(jì)HBM也將成為未來存儲(chǔ)廠商的技術(shù)發(fā)展方向。
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