國產(chǎn)碳化硅MOS管（SiC MOS ) PFC 功率器件主開關(guān)管的選擇
PFC 技術(shù) 趨勢.pdf
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碳化硅MOS管-全碳SiC模塊產(chǎn)品應(yīng)用、驅(qū)動、系統(tǒng)方案2024（8）.pdf
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碳化硅MOS已經(jīng)在3.3KW、6.6KW、11KW、22KW等規(guī)格的OBC的PFC和LLC大批量使用。 |
| 第三代半導(dǎo)體SiC |
| 第三代半導(dǎo)體SiC MOS |
| 第三代半導(dǎo)體SIC寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等特點 |
| SIC MOS寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等特點 |
| 碳化硅MOS已經(jīng)在3.3KW、6.6KW、11KW、22KW等規(guī)格的OBC的PFC和LLC大批量用 |
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PFC電路大量采用國產(chǎn)碳化硅MOS |
| SiC MOS功率電子器件的主要優(yōu)點是開關(guān)頻率高、導(dǎo)通損耗低、效率更高且熱管理系統(tǒng)更簡單 |
| 通過IATF16949、ISO9001等質(zhì)量體系和第三方AEC-Q101產(chǎn)品可靠性認證。 |
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1200V-1700V-3300V 都有 |
| SiC MOSFET(碳化硅MOS)柵極驅(qū)動以及柵極驅(qū)動器示例https://pan.baidu.com/s/1Q2xAZ-VtV8TqV9prNflA9g提取碼bbbc |
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http://m.54549.cn/thread-841262-1-1.html碳化硅MOS（SiC MOSFET）特性 |
| SiC MOSFET碳化硅半導(dǎo)體柵極驅(qū)動以及SiC柵極驅(qū)動器示例 - 電子工程網(wǎng) http://m.54549.cn/thread-838162-1-1.html |
| SiC MOSFET碳化硅半導(dǎo)體柵極驅(qū)動以及SiC柵極驅(qū)動器示例 - http://m.54549.cn/thread-838162-1-1.html |
