- 個(gè)人主頁(yè)http://
- 自我介紹自主研發(fā)設(shè)計(jì)碳化硅MOS管芯片、SiC MOS晶圓die與 SiC Module功率模塊。通過AEC-Q101和AQG324認(rèn)證。擁有全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，已申請(qǐng)40項(xiàng)專利技術(shù)，采用6英寸技術(shù)已量產(chǎn)20余款650V~3300V全系列SiC MOSFET產(chǎn)品。
- 興趣愛好爬山、乒乓球
- 使用碳化硅進(jìn)行雙向車載充電機(jī)OBC設(shè)計(jì)
- 單芯100A SiC二極管實(shí)現(xiàn)百安通流，直擊多管并聯(lián)核心痛點(diǎn)，打造更簡(jiǎn)潔、更穩(wěn)健的高功率系統(tǒng)。
- 碳化硅（SiC)模塊國(guó)產(chǎn)化1700V的八種封裝應(yīng)對(duì)新能源800V及更高電壓系統(tǒng)
- SiC 器件的車載氫燃料電池 DC/DC 變換器設(shè)計(jì)
- 碳化硅MOS四開關(guān) Buck-Boost DC-DC 變換器
- 選好柵極驅(qū)動(dòng)器SiC MOSFET高效又安全
- 碳化硅高速電機(jī)控制器設(shè)計(jì)及效能分析
- 國(guó)產(chǎn)碳化硅功率模塊封裝、電路拓?fù)渚C述
- 全新LPD碳化硅三相全橋模塊2.5nH超低電感驚艷亮相
- 碳化硅模塊（SiC模塊/MODULE）大電流下的驅(qū)動(dòng)器研究
- 碳化硅MOS電壓650V-3300V，電流1A-200A 。 2023-04-17
- Si CMOS 管國(guó)產(chǎn)實(shí)現(xiàn) 電壓 650V-3300V， 電流 5A-150A 。https://pan.baidu.com/s/1coNcn5QTm2JBVLch-Nk4TA 提取碼52x5 碳化硅（SiC ...