超級結MOSFET及低成本IGBT方案用于電動汽車充電樁

發(fā)布時間：2019-7-30 11:20 發(fā)布者：eechina

視頻簡介：電動汽車進程在持續(xù)推進以配合節(jié)能減排的趨勢，對充電樁的需求激增。為縮短充電時間和節(jié)省空間，需要更高能效、輸出功率、功率密度和可靠的電源模塊方案。本次研討會將重點介紹安森美半導體強大陣容中的高壓超級結MOSFET、具成本優(yōu)勢的IGBT及二極管方案，關鍵參數(shù)優(yōu)于競爭對手，有助于實現(xiàn)更高性能、能效和更低損耗，是用于電動汽車充電樁DC-DC、功率因數(shù)校正(PFC)等電源模塊的極佳選擇。

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