SRAM與ROM和Flash Memory的區(qū)別

英尚微電子

靜態(tài)SRAM不需要刷新，速度可以很快，比如，CPU內(nèi)部的cache，都是靜態(tài)RAM,缺點(diǎn)是內(nèi)存單元需要大量的晶體管，所以?xún)r(jià)格昂貴，容量小。SRAM靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器加電時(shí)，無(wú)需刷新，數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，一般不是行列地址復(fù)用。

SRAM它是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。靜態(tài)是指只要不掉電，存儲(chǔ)就存在SRAM中間的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。這與此同時(shí)。DRAM不同,DRAM需要定期刷新操作。

我們不應(yīng)將SRAM與ROM和Flash Memory混淆，因?yàn)镾RAM它是一種容易丟失的存儲(chǔ)器，只有在電源連續(xù)供應(yīng)時(shí)才能保持?jǐn)?shù)據(jù)。隨機(jī)訪問(wèn)是指存儲(chǔ)器的內(nèi)容可以以任何順序訪問(wèn)，無(wú)論之前訪問(wèn)的位置如何。

SRAM每個(gè)晶體管都存儲(chǔ)在四個(gè)晶體管中，形成兩個(gè)交叉耦合反向器。存儲(chǔ)單元有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，通常為0和1。此外還需要兩個(gè)訪問(wèn)晶體管來(lái)控制存儲(chǔ)單元在閱讀或?qū)懽鬟^(guò)程中的訪問(wèn)。因此存儲(chǔ)位通常需要六個(gè)MOSFET。使電路結(jié)構(gòu)對(duì)稱(chēng)SRAM訪問(wèn)速度要快于DRAM。

SRAM比DRAM訪問(wèn)速度快的另一個(gè)原因是SRAM所有地址位置都可以一次接收，而且DRAM使用行地址和列地址復(fù)用結(jié)構(gòu)。

SRAM不應(yīng)該與SDRAM相混淆,SDRAM代表同步DRAM,這與SRAM完全不同。

SRAM也不應(yīng)該與PSRAM相混淆，pSRAM是一種偽裝SRAM的DRAM。