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當(dāng)?shù)貢r間6月17日，Marvell Technology宣布推出業(yè)界首款基于2nm工藝的定制靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM），旨在顯著提升下一代AI加速器、云計算及數(shù)據(jù)中心芯片的性能與能效。該創(chuàng)新產(chǎn)品可提供高達(dá)6Gb的高速內(nèi)存，同時減少66%的待機(jī)功耗，并節(jié)省15%的芯片面積，為AI基礎(chǔ)設(shè)施帶來突破性的性能優(yōu)化。 行業(yè)最高帶寬密度，賦能AI與云計算 Marvell的2nm定制SRAM采用先進(jìn)的電路架構(gòu)與臺積電（TSMC）2nm制程技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了3.75GHz的超高工作頻率和6.4Gbit/s的傳輸速率，創(chuàng)下業(yè)界最高的每平方毫米帶寬記錄。這一突破使得芯片設(shè)計者能夠： 節(jié)省15%的芯片面積，用于集成更多計算核心或擴(kuò)展內(nèi)存容量； 降低66%的待機(jī)功耗，大幅優(yōu)化AI集群和數(shù)據(jù)中心的能效比； 提升3D堆疊芯片的互聯(lián)效率，支持更復(fù)雜的異構(gòu)計算架構(gòu)。 定制化內(nèi)存技術(shù)，突破后摩爾時代瓶頸 隨著半導(dǎo)體工藝逼近物理極限，Marvell的定制SRAM技術(shù)成為突破傳統(tǒng)內(nèi)存架構(gòu)的關(guān)鍵。Marvell定制云解決方案高級副總裁Will Chu表示：“定制化是AI基礎(chǔ)設(shè)施的未來。超大規(guī)模企業(yè)目前用于開發(fā)尖端XPU的技術(shù)，未來將滲透至更廣泛的設(shè)備與應(yīng)用場景。” 該技術(shù)是Marvell“定制硅平臺戰(zhàn)略”的最新成果，此前該公司已推出CXL內(nèi)存擴(kuò)展技術(shù)和定制HBM（高帶寬內(nèi)存）方案，使AI加速器的內(nèi)存容量提升33%。 全方位優(yōu)化，推動AI算力升級 650 Group聯(lián)合創(chuàng)始人Alan Weckel指出：“內(nèi)存仍是AI集群和云計算的最大挑戰(zhàn)。Marvell的解決方案不僅優(yōu)化了芯片級內(nèi)存性能，還通過3D同步雙向I/O技術(shù)（6.4Gbit/s）提升了封裝與系統(tǒng)層面的效率，為未來3.5D異構(gòu)集成鋪平道路�！� 市場展望與行業(yè)影響 Marvell預(yù)測，到2028年，定制芯片將占據(jù)加速計算市場25%的份額。此次2nm SRAM的推出，進(jìn)一步鞏固了Marvell在AI基礎(chǔ)設(shè)施半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，并為下一代高性能計算（HPC）、邊緣AI和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心提供了關(guān)鍵技術(shù)支持。 |
