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三星正在改善1Gb MRAM壽命問(wèn)題 2020-03-25

據(jù)報(bào)道三星已經(jīng)成功研發(fā)出有望替代嵌入式閃存存儲(chǔ)器（eFlash）的嵌入式磁阻隨機(jī)訪問(wèn)內(nèi)存（eMRAM），容量為1Gb，測(cè)試芯片的優(yōu)良率已達(dá)90%。 隨著5G物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代 ...

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到2029年MRAM收入將增長(zhǎng)170倍 2020-01-16

一份新市場(chǎng)報(bào)告預(yù)計(jì)，從2018年到2029年，獨(dú)立 MRAM 和STT-MRAM的收入將增長(zhǎng)170倍，達(dá)到近40億美元的收入。下一代內(nèi)存技術(shù)的增長(zhǎng)將主要由取代效率較低的內(nèi)存技 ...

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基于意法半導(dǎo)體MCU STM32的底層配置 2020-01-15

本文通過(guò)介紹 意法半導(dǎo)體MCU STM32主要的底層配置，通過(guò)關(guān)鍵步驟的程序源代碼的介紹，闡述實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸?shù)募?xì)節(jié)以及注意事項(xiàng)。該方法對(duì)其他項(xiàng)目或芯片有一定的實(shí) ...

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