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碳化硅（SiC）功率半導體制造商UnitedSiC宣布已經(jīng)推出一系列適用于與具備內置低壓MOSFET的控制器IC共同封裝的SiC JFET晶片，由此可制造出速度極快，基于共源共柵的20～100W反激式產(chǎn)品。這些常導通型SiC JFET的工作電壓范圍為650～1700V，可幫助實現(xiàn)簡化的啟動方案，具有零待機功耗，是大型反激式AC-DC應用市場的理想選擇，其中包括消費類電子適配器和輔助電源等應用。 控制器IC制造商可受益于較小的晶片尺寸，并具有極低RDS（ON）和電容。常導通型JFET在與控制器IC中集成的低Qg低壓MOSFET配合使用時，有助于滿足輕載和空載下功率消耗的相關法規(guī)。 SiC JFET在應對重復的雪崩和短路時具有非常強大的能力，使SiC共源共柵在實用中非常穩(wěn)健。SiC JFET與控制IC中的LV MOSFET串聯(lián)連接，常導通型JFET的源極電壓在JFET關斷之前升至12V，IC開始切換。經(jīng)過JFET的電流路徑可以用作控制器IC的啟動電源。在轉換器開始工作后，來自轉換器變壓器的輔助電源被門控（gated-in），沒有進一步的功率損耗。 典型的低功率反激式應用包括筆記本電腦和移動設備充電器（20～65 W）等消費類電子輔助設備，其他應用還包括工業(yè)應用（如電機驅動）的寬輸入（高達1400V）反激輔助電源，以及長LED串等高功率照明應用。 UnitedSiC首席執(zhí)行官Chris Dries表示：“隨著這些新型SiC JFET的推出，UnitedSiC現(xiàn)在已經(jīng)位居業(yè)內擁有最廣泛SiC功率產(chǎn)品組合廠商之列，我們能夠通過晶片和分立封裝形式來提供高性能JFET功能�！� 供貨信息 目前僅有UnitedSiC能夠提供七種晶片可供選擇，電壓額定值為從650～1700V，RDS（ON）值低至140mΩ，晶片具備三種尺寸，可小至0.8 mm x 0.8mm，以便于實現(xiàn)共同封裝。 欲了解更多信息，請訪問https://unitedsic.com。 |
