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近日，美光科技有限公司（Micron）和英特爾公司發(fā)布雙方聯(lián)合研發(fā)的世界上密度最大的3D NAND閃存技術(shù)。閃存是在最輕的筆記本電腦、最快的數(shù)據(jù)中心和幾乎所有手機、平板電腦和移動設(shè)備中使用的存儲技術(shù)。 這一最新的3D NAND技術(shù)由英特爾和美光聯(lián)合開發(fā)，以卓越的精度垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，利用該技術(shù)制成的存儲設(shè)備的容量將比由與之競爭的NAND技術(shù)所打造出的設(shè)備容量高三倍[1]。該技術(shù)可以在更小的空間內(nèi)實現(xiàn)更大的存儲容量，為眾多消費類移動設(shè)備和最為嚴苛的企業(yè)級部署帶來顯著的成本節(jié)約、能耗降低和性能提升。 平面NAND閃存已接近其擴展極限，為存儲行業(yè)帶來了巨大的挑戰(zhàn)。摩爾定律展示了性能的持續(xù)提升和成本的不斷下降的軌跡，3D NAND技術(shù)通過保持閃存存儲解決方案和摩爾定律的一致性，將推動閃存的更廣泛采用，并產(chǎn)生巨大影響。 美光科技有限公司存儲技術(shù)與解決方案副總裁Brian Shirley說：“美光與英特爾的合作誕生了業(yè)界領(lǐng)先的固態(tài)存儲技術(shù)，提供了極高的密度、性能和效率，是當今任何其他閃存都無法比擬的。這一3D NAND技術(shù)具備引發(fā)市場重大變革的潛能。從智能手機一直到進行了閃存優(yōu)化的超級計算，閃存到目前為止所產(chǎn)生的影響還僅僅只是一個開始�！� “英特爾與美光的開發(fā)成就體現(xiàn)了我們一直致力于為市場提供領(lǐng)先且創(chuàng)新的非易失性存儲技術(shù)的承諾。我們的全新3D NAND技術(shù)創(chuàng)新在密度和成本方面都取得了巨大進步，將加速固態(tài)存儲在計算平臺領(lǐng)域的應(yīng)用�！� 英特爾非易失性存儲解決方案集團高級副總裁兼總經(jīng)理Rob Crooke表示。 創(chuàng)新工藝架構(gòu) 此項技術(shù)的一大重要方面是基礎(chǔ)存儲單元。英特爾和美光選擇使用了浮柵單元，這種被普遍采用的設(shè)計在長年大批量平面閃存的生產(chǎn)中進行了改進。這是首次在3D NAND中使用浮柵單元，這一關(guān)鍵的設(shè)計選擇可實現(xiàn)更高的性能，同時提升質(zhì)量和可靠性。 全新的3D NAND技術(shù)將閃存單元垂直堆疊32層，可在標準封裝內(nèi)實現(xiàn)256Gb多層單元（MLC）和384Gb三層單元（TLC）芯片，由此可使口香糖大小的固態(tài)硬盤具備超過3.5TB的存儲容量，以及使標準2.5英寸固態(tài)硬盤具備超過10TB的容量。由于容量可通過垂直堆疊單元來獲得，單個單元的尺寸就能變得相當大——這將有望提升性能和耐久性，甚至可讓TLC設(shè)計也能很好地適用于數(shù)據(jù)中心存儲。 3D NAND設(shè)計的主要產(chǎn)品特性包括： • 大容量——是現(xiàn)有3D技術(shù)容量的三倍—每個芯片高達48GB的NAND——因此可在指尖大小的封裝內(nèi)實現(xiàn)3/4TB的容量。 • 更低的單位GB成本——第一代3D NAND相較平面NAND達到了更好的成本效率。 • 快速——高讀取/寫入帶寬、I/O速度和隨機讀取性能。 • 環(huán)�！滤吣Ｊ酵ㄟ^切斷不活躍NAND晶粒的電源（甚至是在同一封裝內(nèi)的其他晶粒處于活躍狀態(tài)時），在待機模式下顯著減少能耗。 • 智能——與前幾代產(chǎn)品相比，創(chuàng)新的新特性改善了延遲并提高了耐久性，同時也讓系統(tǒng)集成更加容易。 256Gb MLC版本的3D NAND當前已向部分合作伙伴提供樣品，384Gb TLC版本的樣品將于今年春末提供。目前，晶圓廠生產(chǎn)線已開始初步生產(chǎn)，并將于今年第四季度全面投產(chǎn)這兩件設(shè)備。美光與英特爾也正在分別開發(fā)基于3D NAND技術(shù)的全新固態(tài)硬盤解決方案，并預(yù)計在2016年推出相關(guān)產(chǎn)品。 |
