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據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，半導(dǎo)體制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）近日宣布，已開(kāi)始正式出貨其第五代3D TLC NAND閃存產(chǎn)品。這款創(chuàng)新的存儲(chǔ)芯片不僅采用了先進(jìn)的Xtacking 4.0架構(gòu)，而且在結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)了294層堆疊，并擁有232個(gè)有源層，標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域的又一重大突破。 長(zhǎng)江存儲(chǔ)的第五代3D TLC NAND閃存，通過(guò)Xtacking 4.0架構(gòu)的引入，顯著提升了存儲(chǔ)密度和I/O性能。Xtacking 4.0架構(gòu)利用了混合鍵合技術(shù)，將閃存陣列與CMOS邏輯和接口高效連接，從而優(yōu)化了存儲(chǔ)單元的布局，最大限度地提高了存儲(chǔ)密度。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，該閃存的位密度已超過(guò)20Gb/mm²，雖然略低于鎧俠和西部數(shù)據(jù)BiCS8 QLC NAND閃存的22.9Gb/mm²，但這一成就已經(jīng)使長(zhǎng)江存儲(chǔ)在全球NAND市場(chǎng)中占據(jù)了有力競(jìng)爭(zhēng)地位。 長(zhǎng)江存儲(chǔ)的第五代3D TLC NAND閃存不僅在存儲(chǔ)密度上有所提升，還在讀寫(xiě)性能和能效方面取得了顯著進(jìn)步。Xtacking 4.0架構(gòu)的引入帶來(lái)了多項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新，如Centered X-DEC芯片設(shè)計(jì)、背面源極連接（BSSC）、減小垂直柵極間距、20個(gè)無(wú)虛設(shè)孔的垂直通道孔設(shè)計(jì)等，這些創(chuàng)新共同提升了閃存的性能和可靠性。此外，相對(duì)較小的芯片尺寸和增加的位密度也意味著在相同空間內(nèi)可以存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，這對(duì)于滿足當(dāng)前和未來(lái)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求具有重要意義。 此次長(zhǎng)江存儲(chǔ)第五代3D TLC NAND閃存的出貨，不僅是對(duì)公司技術(shù)實(shí)力的證明，也為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起注入了新的動(dòng)力。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)的不斷拓展，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望在全球NAND閃存市場(chǎng)中占據(jù)更加重要的位置。 |
