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微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)終于發(fā)布了下一代同步DDR內(nèi)存的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)：DDR4，它的數(shù)據(jù)傳輸速度將比DDR3快一倍，且功耗更低�！癑EDEC的DDR4技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的公布是數(shù)年來世界各地的內(nèi)存、系統(tǒng)、部件和模塊制造商共同努力的結(jié)果，”JEDEC下屬組織JC-42.3DRAM內(nèi)存委員會(huì)主席Joe Macri這樣說。“新標(biāo)準(zhǔn)使下一代系統(tǒng)有更優(yōu)秀的性能，顯著提高封裝密度和可靠性，同時(shí)有更低的功耗，”Macri說。 DDR4的單個(gè)內(nèi)存顆粒容量2Gb-16Gb，同時(shí)提供了三種數(shù)據(jù)寬度x4、x8、x16，最大數(shù)據(jù)傳輸速度為3.2Gb/s，不過JETEC說未來隨著標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展速度還會(huì)繼續(xù)增加。另外DDR4的功耗會(huì)更低，將使用1.2V電壓而不是DDR3用的1.5V。 
DDR4預(yù)計(jì)要到2015年才會(huì)普及 盡管三星等廠商之前已經(jīng)造出了不同規(guī)格的DDR4內(nèi)存樣品，但這次最終標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布將催使他們擴(kuò)大生產(chǎn)。據(jù)市場(chǎng)分析組織iSuppli預(yù)計(jì)到2014年DDR4 才能獲得較大市場(chǎng)份額，不過2015年應(yīng)該會(huì)占到所有售出的DRAM的一半。
“DDR4技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布是下一代DRAM生產(chǎn)的里程碑，”美光DRAM市場(chǎng)部副總裁Robert Feurle說。“更高的性能、更低的功耗使DDR4成為下一代企業(yè)和消費(fèi)者產(chǎn)品有吸引力的存儲(chǔ)器解決方案，”他說到，“我們也期待把這項(xiàng)技術(shù)推向市場(chǎng)�！� |
