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來源：EXPreview 近年來，人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和PC一直在推動高性能DRAM產(chǎn)品的研發(fā)，市場對HBM類DRAM的需求也在迅速增長。從去年下半年起，就不斷傳出有關(guān)下一代HBM4的消息，三星、SK海力士和美光三家主要存儲器制造商都加大了這方面的投入，以加快研發(fā)的進度。 據(jù)ZDNet報道，JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會可能會放寬HBM4在高度方面的要求，也就是最高的720微米的限制。為了降低三星、SK海力士和美光的制造難度，傳聞JEDEC可能將12層及16層堆疊的HBM4高度放寬至775微米，這意味著存儲器制造商可以在現(xiàn)有的鍵合技術(shù)中實現(xiàn)16層堆疊，無需轉(zhuǎn)向新的混合鍵合技術(shù)。 目前無論是三星的TC NCF技術(shù)還是SK海力士的MR-RUF技術(shù)，都是使用凸塊實現(xiàn)層與層之間的連接。上個月三星宣布，已開發(fā)出業(yè)界首款HBM3E 12H DRAM，從過去的8層堆疊提高至12層堆疊，而且通過對TC NCF材料的優(yōu)化，已經(jīng)將間隙減低至7微米。不過要實現(xiàn)16層堆疊，厚度必然會繼續(xù)增加，現(xiàn)有的技術(shù)在原限定高度下很難實現(xiàn)這樣的操作。 混合鍵合技術(shù)不需要凸塊，通過板載芯片和晶圓直接鍵合，讓層與層之間更加緊密，以減少封裝厚度。不過混合鍵合技術(shù)尚未成熟，而且相比現(xiàn)有的鍵合技術(shù)過于昂貴，因此現(xiàn)階段存儲器制造商還不太愿意采用。 隨著JEDEC同意放寬HBM4的高度限制要求，一方面為混合鍵合技術(shù)爭取到了更多的開發(fā)時間，另一方面也加快了HBM4的商業(yè)化進程。 |
