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近日，光刻機巨頭ASML披露最新交付規(guī)劃，預計2027年將向客戶交付10臺High-NA EUV（高數值孔徑極紫外光刻機）和56臺Low-NA EUV（低數值孔徑極紫外光刻機）設備。這一數據較此前市場預期顯著提升，反映出全球半導體行業(yè)對先進制程節(jié)點的持續(xù)投入，尤其是英特爾、三星、SK海力士等大廠在埃米級（1nm以下）工藝競賽中的加速布局。根據ASML的評估，目前EUV光刻機的采購周期長達一年以上，客戶需提前數年作出采購承諾。 High-NA EUV：英特爾領銜，埃米級制程進入倒計時 根據ASML的訂單信息，2027年High-NA EUV光刻機的交付量將從原計劃的8臺增至10臺，其中英特爾的訂單量從1臺追加至2臺。這一調整與英特爾近期對Intel 14A制程（1.4nm）的資本支出加碼密切相關。作為全球首款面向埃米級工藝的光刻機，High-NA EUV的分辨率高達8nm，支持單次曝光實現1.7倍的元件尺寸縮小，晶體管密度較傳統(tǒng)EUV提升2.9倍。 英特爾已明確將High-NA EUV用于2026-2027年量產的14A制程，該節(jié)點被視為其重返芯片制造技術巔峰的關鍵。此前，英特爾于2024年4月完成全球首臺商用High-NA EUV光刻機的組裝，并宣布將其部署在俄勒岡州D1X工廠。與此同時，SK海力士也追加了一臺High-NA EUV訂單，總量增至2臺，主要用于HBM4等高端存儲芯片的生產。 Low-NA EUV：臺積電、三星主導，3nm/2nm制程持續(xù)擴容 在Low-NA EUV領域，ASML計劃2027年交付56臺設備，較此前預期增加4臺。其中，臺積電和三星是主要采購方。臺積電雖未在量產制程中導入High-NA EUV，但其對Low-NA EUV的需求持續(xù)旺盛。據供應鏈消息，臺積電今明兩年將接收超60臺EUV光刻機，相關投資超4000億新臺幣，大部分訂單將于2026年后交付。 三星方面，其追加的2臺Low-NA EUV訂單（總量增至7臺）將用于支持3nm GAA（環(huán)繞柵極）工藝的擴產。目前，三星已利用EUV光刻機實現3nm芯片的量產，并計劃通過增加設備投入縮小與臺積電的技術差距。 行業(yè)影響：光刻機競爭進入“埃米時代” ASML的交付計劃調整，標志著全球半導體制造正式邁入埃米級工藝時代。High-NA EUV的單臺價格高達3.7億美元，僅臺積電、英特爾、三星等少數大廠能夠負擔。這一技術壁壘將進一步鞏固頭部企業(yè)的競爭優(yōu)勢，同時加劇中小廠商的邊緣化。 對于中國而言，ASML的EUV光刻機仍受出口管制限制，但國內廠商正通過多重曝光、NIL（納米壓�。┑忍娲夹g突破制程瓶頸。例如，佳能與鎧俠合作的NIL技術已實現5nm級電路線寬，且單個晶圓功耗僅為EUV光刻的十分之一。 |
