大聯(lián)大旗下詮鼎推出兩款基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN INN100EA035A氮化鎵功率晶體管和INS2002FQ氮化鎵半橋驅(qū)動(dòng)IC的48V四相2kW降壓電源方案。
圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科產(chǎn)品的48V四相2kW降壓電源的展示板圖 隨著人工智能與高性能計(jì)算的爆發(fā)式增長，CPU/GPU的功率持續(xù)升高。為顯著降低傳輸損耗，全球服務(wù)器供電架構(gòu)正從12V向48V系統(tǒng)加速升級(jí)。然而，受限于服務(wù)器內(nèi)部的空間尺寸，傳統(tǒng)的電源方案往往需要更高的功率密度來實(shí)現(xiàn)從48V到12V的供電轉(zhuǎn)換。此背景下，大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科InnoGaN INN100EA035A氮化鎵功率器件和INS2002FQ氮化鎵半橋驅(qū)動(dòng)IC推出兩款48V四相2kW降壓電源方案，旨在為48V服務(wù)器、新能源汽車系統(tǒng)或通信模塊提供高效、可靠的電源供電。
圖示2-大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科產(chǎn)品的48V四相2kW降壓電源的場景應(yīng)用圖 與Si MOS相比，GaN具有出色的開關(guān)特性，且開關(guān)損耗更低。因此能夠?qū)崿F(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換效率，并提升開關(guān)頻率，同時(shí)減小磁性器件尺寸和濾波電容體積，進(jìn)而提高功率密度。此次大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科產(chǎn)品推出的兩款方案均采用四相交錯(cuò)Buck拓?fù)洌肯嗍褂?顆100V氮化鎵半橋驅(qū)動(dòng)IC INS2002FQ和4顆100V雙面散熱的低壓氮化鎵功率晶體管INN100EA035A進(jìn)行功率傳輸。 INN100EA035A采用雙面散熱En-FCLGA封裝技術(shù)，這一創(chuàng)新設(shè)計(jì)顛覆了傳統(tǒng)的單冷卻封裝熱管理方式，可有效降低器件的工作結(jié)溫。并且該產(chǎn)品具備超低導(dǎo)通電阻，能大幅降低能量損耗，是實(shí)現(xiàn)高功率密度方案的關(guān)鍵所在。 INS2002FQ采用英諾賽科自研的FCQFN 3mm×3mm封裝，專為驅(qū)動(dòng)GaN而設(shè)計(jì)，其集成自舉與BST鉗位電路，支持獨(dú)立上拉和下拉輸出引腳，可分別調(diào)節(jié)開通和關(guān)斷速度。并且器件也支持三態(tài)PWM輸入，可靈活調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間，實(shí)現(xiàn)低延遲、高驅(qū)動(dòng)能力，非常適合高功率和高頻率的應(yīng)用場合。
圖示3-大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科產(chǎn)品的48V四相2kW降壓電源的方塊圖 兩款解決方案分別采用雙耦合/四耦合電感設(shè)計(jì)。這種設(shè)計(jì)將傳統(tǒng)Buck方案中的分立電感替換為低耦合系數(shù)的耦合電感，可有效降低電感紋波電流，同時(shí)減少電感和電容體積，有助于提升系統(tǒng)功率密度，實(shí)現(xiàn)靈活的拓展功能。在40Vdc-60Vdc輸入、12V/167A輸出的條件下，兩款方案的最大輸出功率為2000W。其中采用雙耦合電感設(shè)計(jì)的峰值效率為98%@1200W，滿載效率為97.6%@2000W；采用四耦合電感的峰值效率為98.1%@1000W，滿載效率為97.7%@2000W。與市面上具有出色性能的Si MOSFET相比，兩款方案的峰值效率和滿載效率均提升1%以上。 核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)： 四相交錯(cuò)Buck拓?fù)�，生態(tài)成熟，拓展性靈活； 效率超98%，峰值效率和滿載效率均比出色的Si MOSFET高1%以上； 高開關(guān)頻率、高功率密度，且大幅降低能耗，滿載無風(fēng)條件下，器件熱點(diǎn)溫度比出色的Si MOSFET低15度以上。 方案規(guī)格： 輸入電壓：48V； 輸入欠壓保護(hù)：39V； 輸入過壓保護(hù)：63V； 輸出電壓：12V； 輸出過壓保護(hù)：15V； 輸出限流：200A； 輸出功率：2000W； 開關(guān)頻率：250KHz； 滿載效率：97.62%。 |
