|
當(dāng)?shù)貢r間7月1日，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）宣布與臺灣晶圓代工大廠力積電（Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation, PSMC）達(dá)成戰(zhàn)略合作，正式啟動業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的8英寸（200mm）硅基氮化鎵（GaN-on-silicon）技術(shù)量產(chǎn)計劃。此次合作旨在強(qiáng)化供應(yīng)鏈韌性、推動技術(shù)創(chuàng)新并優(yōu)化成本效益，以滿足AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車（EV）、太陽能及消費電子市場對高效能功率半導(dǎo)體的快速增長需求。 納微半導(dǎo)體將利用力積電位于臺灣新竹竹南科學(xué)園區(qū)的8B廠200毫米產(chǎn)線進(jìn)行生產(chǎn)。該工廠自2019年投入運營以來，已具備成熟的氮化鎵制造能力，涵蓋從微型LED到射頻GaN器件的多樣化應(yīng)用。力積電先進(jìn)的180nm CMOS工藝將助力納微進(jìn)一步提升器件性能，實現(xiàn)更高功率密度、更快開關(guān)速度及更優(yōu)能效表現(xiàn)，同時優(yōu)化制造成本與良率。 根據(jù)規(guī)劃，力積電將為納微生產(chǎn)100V至650V的氮化鎵功率芯片，重點支持48V基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，包括超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心和電動汽車動力系統(tǒng)。首批100V器件預(yù)計于2025年第四季度完成認(rèn)證，2026年上半年進(jìn)入量產(chǎn)階段；而650V產(chǎn)品線將在未來12至24個月內(nèi)逐步從臺積電（TSMC）轉(zhuǎn)移至力積電生產(chǎn)。 納微半導(dǎo)體近期在多個關(guān)鍵市場取得突破，包括與NVIDIA合作開發(fā)800V高壓直流（HVDC）架構(gòu)，支持1兆瓦以上AI數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)；全球太陽能巨頭Enphase亦宣布采用其650V雙向GaNFast芯片用于下一代IQ9產(chǎn)品。此外，納微的高功率GaNSafe技術(shù)已進(jìn)入商用電動汽車車載充電器（OBC）領(lǐng)域，首款合作車型來自長安汽車。 納微首席執(zhí)行官Gene Sheridan表示，此次合作標(biāo)志著公司在供應(yīng)鏈多元化和技術(shù)升級上的重要進(jìn)展，未來將持續(xù)深化與力積電的協(xié)作，推動氮化鎵技術(shù)在性能與成本效率上的突破。力積電高層則強(qiáng)調(diào)，雙方多年技術(shù)磨合已接近量產(chǎn)階段，將全力支持納微拓展全球GaN市場。 此次8英寸硅基氮化鎵的量產(chǎn)，不僅將提升納微的產(chǎn)能規(guī)模，更可能重塑功率半導(dǎo)體行業(yè)格局，加速氮化鎵技術(shù)在高效能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的普及。 |
