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德州儀器宣布600億美元美國(guó)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃 創(chuàng)本土半導(dǎo)體投資紀(jì)錄

發(fā)布時(shí)間:2025-6-19 09:29    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 德州儀器 , 美國(guó) , 半導(dǎo)體
6月18日,德州儀器(Texas Instruments Inc., TI)正式宣布,將在未來(lái)數(shù)年內(nèi)投入超過(guò)600億美元,用于擴(kuò)建其位于得克薩斯州和猶他州的半導(dǎo)體制造基地。這一投資規(guī)模刷新了美國(guó)成熟制程芯片制造領(lǐng)域的紀(jì)錄,被視為對(duì)特朗普政府推動(dòng)本土芯片制造政策的直接響應(yīng)。

七座晶圓廠布局:覆蓋300毫米產(chǎn)能與先進(jìn)制程

根據(jù)計(jì)劃,德州儀器將在得克薩斯州謝爾曼新建兩座300毫米晶圓廠(SM3和SM4),并擴(kuò)建已有工廠(SM1和SM2),使謝爾曼基地總投資額提升至400億美元。其中,SM1已進(jìn)入初步生產(chǎn)階段,SM2外部結(jié)構(gòu)完工,而SM3和SM4將聚焦未來(lái)需求。此外,猶他州李;氐膬勺A廠(LFAB1和LFAB2)也將獲得重點(diǎn)投資:LFAB1已投產(chǎn),LFAB2建設(shè)進(jìn)展順利,二者將共同支持65納米至45納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)的模擬與嵌入式芯片生產(chǎn)。

在得克薩斯州理查森,德州儀器第二座300毫米晶圓廠RFAB2正持續(xù)提升產(chǎn)能,其基于全球首座300毫米模擬晶圓廠RFAB1的技術(shù)積累,將進(jìn)一步鞏固TI在工業(yè)、汽車(chē)和通信領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)。

政策與市場(chǎng)雙驅(qū)動(dòng):稅收優(yōu)惠與供應(yīng)鏈安全成關(guān)鍵

德州儀器此次投資正值美國(guó)政府強(qiáng)化半導(dǎo)體供應(yīng)鏈安全之際。2024年12月,拜登政府依據(jù)《芯片與科學(xué)法案》向TI提供16.1億美元補(bǔ)貼,支持其建設(shè)三處新設(shè)施。盡管特朗普政府曾對(duì)《芯片法案》提出批評(píng),但德州儀器仍選擇加速本土擴(kuò)產(chǎn)。公司總裁兼首席執(zhí)行官Haviv Ilan表示:“TI致力于構(gòu)建可靠、低成本的300毫米產(chǎn)能,以滿足全球?qū)δM和嵌入式處理芯片的需求。蘋(píng)果、福特、SpaceX等客戶均依賴我們的技術(shù),這一投資將釋放美國(guó)創(chuàng)新的潛力!

值得關(guān)注的是,TI的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃與客戶需求高度綁定。例如,SpaceX明確表示,其星鏈(Starlink)衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)正采用TI在謝爾曼制造的300毫米鍺硅(SiGe)技術(shù),以實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸。此外,TI的模擬芯片廣泛用于汽車(chē)電子、醫(yī)療設(shè)備和工業(yè)控制系統(tǒng),其擴(kuò)產(chǎn)被視為應(yīng)對(duì)中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手在基礎(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)域崛起的重要舉措。

行業(yè)趨勢(shì):半導(dǎo)體軍備競(jìng)賽升級(jí)

德州儀器的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃標(biāo)志著美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“回流”進(jìn)入新階段。除TI外,格羅方德、臺(tái)積電和美光科技等企業(yè)也宣布了新增投資。例如,三星電子在得克薩斯州泰勒市投資370億美元建設(shè)兩座邏輯芯片廠,并獲得47.45億美元《芯片法案》補(bǔ)貼。分析人士指出,美國(guó)政府通過(guò)稅收抵免和直接補(bǔ)貼,正試圖重構(gòu)全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈,減少對(duì)亞洲產(chǎn)能的依賴。
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