Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布擴大碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品組合，推出五款高性能、低品質(zhì)因數(shù) (FoM) 的 650V 碳化硅肖特基二極管。DSCxxA065LP 系列的額定電流為 4A、6A、8A、10A 及 12A，采用超高熱效率的 T-DFN8080-4 封裝，專為高效率電源開關(guān)產(chǎn)品應(yīng)用而設(shè)計，例如直流對直流、交流轉(zhuǎn)直流、可再生能源、數(shù)據(jù)中心 (特別是處理大量人工智能運算的數(shù)據(jù)中心) ，以及工業(yè)電機驅(qū)動等。
DSCxxA065LP 系列的品質(zhì)因數(shù) (FoM = QC × VF) 為業(yè)界極佳，歸功于以下兩大特點： ● 無反向恢復(fù)電流和低電容電荷 (QC)，因此開關(guān)損耗可忽略不計； ● 低正向電壓 (VF) 可大幅降低傳導(dǎo)損耗，提升整體功率效率。 以上兩個特性使得該系列產(chǎn)品非常適合用于高速開關(guān)電路。 DSCxxA065LP 系列的反向漏電流 (IR) 也低于業(yè)界其他產(chǎn)品，最大僅為 20μA。這能大幅降低熱耗散和傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性以及可靠度，相較于硅基肖特基器件，這些優(yōu)勢更加明顯。降低熱耗散也能減少冷卻成本和運營支出。 小巧輕薄的 T-DFN8080-4 (典型尺寸：8mm x 8mm x 1mm) 表面貼裝封裝底部有大面積散熱片，可降低熱阻。T‑DFN8080-4 占用更少的電路板面積，但具有更大的散熱片，可完美替代 TO252 (DPAK)。這兩個特點有助于提高電路設(shè)計的功率密度，縮小整體尺寸，降低冷卻預(yù)算。 DSC04A065LP (4A)、DSC06A065LP (6A)、DSC08A065LP (8A)、DSC10A065LP (10A)及 DSC12A065LP (12A)的訂購單位為 2,500 件。 |
