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近日，國際商業(yè)機(jī)器公司（IBM）與東京電子（Tokyo Electron Limited，簡稱TEL）共同宣布，雙方已續(xù)簽為期五年的先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)聯(lián)合研發(fā)協(xié)議。這一舉措旨在進(jìn)一步推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展，以滿足生成式人工智能時(shí)代對(duì)高性能和高效能芯片的需求。 根據(jù)協(xié)議，IBM與TEL將繼續(xù)深化在半導(dǎo)體領(lǐng)域的合作，專注于下一代半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)和架構(gòu)的技術(shù)研發(fā)。雙方將結(jié)合IBM在半導(dǎo)體工藝集成方面的深厚專業(yè)知識(shí)和TEL在半導(dǎo)體設(shè)備制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，共同探索更小節(jié)點(diǎn)和小芯片架構(gòu)的技術(shù)突破。 IBM半導(dǎo)體總經(jīng)理暨混合云部門副總裁Mukesh Khare表示：“IBM和TEL在過去二十多年的合作中，已經(jīng)取得了多項(xiàng)突破性進(jìn)展，有效推動(dòng)了半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新。我們很高興在這個(gè)關(guān)鍵時(shí)刻繼續(xù)攜手，加速芯片創(chuàng)新，以推動(dòng)生成式AI時(shí)代的到來。” 東京電子總裁兼執(zhí)行長河合利樹也對(duì)此次續(xù)簽表示高度贊賞：“IBM和東京電子通過多年的共同開發(fā)，建立了堅(jiān)實(shí)的信任和創(chuàng)新關(guān)系。我們期待在未來的五年里，能夠繼續(xù)與IBM緊密合作，共同應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的挑戰(zhàn)，推動(dòng)行業(yè)進(jìn)步�！� 此次續(xù)簽協(xié)議還強(qiáng)調(diào)了雙方對(duì)推進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的共同承諾，包括采用高數(shù)值孔徑（High NA）極紫外光（EUV）的圖案化制程。這一技術(shù)被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)更先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵，將有助于提升芯片的性能和能效，滿足未來市場(chǎng)對(duì)高性能計(jì)算的需求。 值得一提的是，IBM與TEL都是Albany NanoTech Complex的成員，該綜合體是世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體研究生態(tài)系統(tǒng)，由NY CREATES擁有和運(yùn)營。多年來，IBM、TEL和其他公司一直在此合作構(gòu)建最先進(jìn)的公私半導(dǎo)體研究設(shè)施，以加速芯片創(chuàng)新。 此外，IBM與TEL的合作還得到了紐約州政府的大力支持。紐約州州長Kathy Hochul此前曾宣布，將與包括IBM、TEL在內(nèi)的多家半導(dǎo)體大廠合作，投資100億美元在紐約州Albany NanoTech Complex興建下一代High-NA EUV半導(dǎo)體研發(fā)中心。這一舉措將進(jìn)一步提升紐約州在半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)實(shí)力，為IBM與TEL的合作提供更有力的支持。 |
