[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]碳化硅功率器件具有耐高壓、開關(guān)速度快和導(dǎo)通損耗低等優(yōu)點(diǎn)，因此正在逐漸成為電力變換系統(tǒng)的核心器件，尤其在新能源汽車、可再生能源、儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域，器件的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表，理論上具有極其優(yōu)異的性能，有望在大功率電力電子變換器中替換傳統(tǒng)硅 IGBT，進(jìn)而大幅提升變換器的效率以及功率密度等性能。
[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]34mm模塊特點(diǎn)：1. 采用全焊片工藝，Cu底板+低熱值A(chǔ)lN絕緣陶瓷； 2. 高功率密度，低寄生電感，低開關(guān)損耗； 3. 適用高溫、高頻應(yīng)用； 4. 參數(shù)表現(xiàn)： VDS：650~1700V ID：30~300A RDS(on) ：4~80mΩ
[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]62mm模塊特點(diǎn) 1. 采用全焊片工藝，Cu底板+低熱值A(chǔ)lN絕緣陶瓷；2. 高功率密度，低寄生電感，低開關(guān)損耗； 3. 適用高溫、高頻應(yīng)用； 4. 參數(shù)表現(xiàn)： - VDS：650~1700V - ID：30~600A - RDS(on) ：2~80mΩ
[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]D21系列碳化硅模塊的性能特點(diǎn)：高性能封裝技術(shù)：采用高導(dǎo)熱性AlN陶瓷基板，內(nèi)置NTC，實(shí)現(xiàn)高效散熱 高開關(guān)速度：碳化硅材料的高電子遷移率，提升系統(tǒng)響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)性能 高功率密度：搭載第三代自研碳化硅芯片，實(shí)現(xiàn)小尺寸下的大電流承受能力 低寄生電感設(shè)計(jì)：緊湊內(nèi)部布局，降低功率回路中的寄生電感
[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]DCS12模塊特點(diǎn) 1. 采用單面水冷+模封工藝，最高工作結(jié)溫175℃； 2. 功率密度高，適用高溫、高頻應(yīng)用，超低損耗；3. 集成NTC溫度傳感器，易于系統(tǒng)集成；4. 參數(shù)表現(xiàn)： - VDS：650~1700V - ID：400~800A - RDS(on) ：1.5~6.2mΩ
[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]EP模塊特點(diǎn) 1. 采用先進(jìn)的真空回流焊工藝，Al2O3絕緣陶瓷，最高工作結(jié)溫150℃； 2. 高功率密度，低寄生電感，低開關(guān)損耗； 3. 適用高溫、高頻應(yīng)用； 4. 集成NTC溫度傳感器，易于系統(tǒng)集成； 5. 參數(shù)表現(xiàn)： - VDS：650~1200V - ID：30~200A - RDS(on) ：6~80mΩ
[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]MD3模塊特點(diǎn) 1. 采用真空回流焊工藝，AlSiC底板+低熱值A(chǔ)lN絕緣陶瓷，最高工作結(jié)溫175℃； 2. 第三代模塊寄生電感低于10nH，比現(xiàn)有模塊小50%以上，降低開關(guān)損耗； 3. 適用高溫、高頻應(yīng)用，超低損耗； 4. 集成NTC溫度傳感器，易于系統(tǒng)集成； 5. 參數(shù)表現(xiàn)： - VDS：650~1700V - ID：300~800A - RDS(on) ：1.7~8.3mΩ
[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]MED模塊特點(diǎn) 1. 采用真空回流焊工藝，Cu底板+低熱值A(chǔ)lN絕緣陶瓷，最高工作結(jié)溫175℃； 2. 功率密度高,適用高溫、高頻應(yīng)用，超低損耗； 3. 集成NTC溫度傳感器，易于系統(tǒng)集成； 4. 常關(guān)功率模塊，零拖尾電流，寄生電感小于15nH，開關(guān)損耗低； 5. 參數(shù)表現(xiàn)： - VDS：650~1700V - ID：270~800A - RDS(on) ：1.5~8.7mΩ
[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]MEP模塊特點(diǎn) 1. 采用先進(jìn)的真空回流焊工藝，Al2O3絕緣陶瓷，最高工作結(jié)溫150℃； 2. 高功率密度，低寄生電感，低開關(guān)損耗； 3. 適用高溫、高頻應(yīng)用； 4. 集成NTC溫度傳感器，易于系統(tǒng)集成； 5. 參數(shù)表現(xiàn)： - VDS：650~1700V - ID：30~300A - RDS(on) ：4~80mΩ
[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]MEK6模塊特點(diǎn)1. 最高工作結(jié)溫175℃； 2. 高功率密度，低開關(guān)損耗； 3. 適用高溫、高頻應(yīng)用； 4. 參數(shù)表現(xiàn)： - VDS：650~1700V - ID：100~300A - RDS(on) ：3~25mΩ
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[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]HPD模塊特點(diǎn) 1. AlN+AlSiC散熱，最高工作結(jié)溫175℃；
[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)] 2. 第三代模塊寄生電感低于10nH，比現(xiàn)有模塊小50%以上，降低開關(guān)損耗； 3. 參數(shù)表現(xiàn)： - VDS：650~1700V - ID：400~800A - RDS(on) ：1.5~6.5mΩ[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]結(jié)論碳化硅功率模塊的冷卻系統(tǒng)設(shè)計(jì)已經(jīng)逐漸成為其應(yīng)用的關(guān)鍵組成部分，為滿足日益增長(zhǎng)的功率密度和模塊可靠性需求，先進(jìn)熱管理技術(shù)必須與其封裝緊密結(jié)合，才能獲得最大收益。 |
