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近日，在2024 IEEE IEDM國際電子器件會議上，國際商業(yè)機(jī)器公司（IBM）與日本先進(jìn)芯片制造商Rapidus共同展示了雙方合作研發(fā)的多閾值電壓（MultiVt）GAA晶體管成果。這一技術(shù)突破有望為Rapidus的2nm制程量產(chǎn)奠定堅實(shí)基礎(chǔ)。 隨著芯片技術(shù)的不斷進(jìn)步，傳統(tǒng)的FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）結(jié)構(gòu)即將被更為先進(jìn)的GAAFET（全環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管）取代。這一轉(zhuǎn)變對芯片制程迭代帶來了新的挑戰(zhàn)，特別是在2nm制程下，如何實(shí)現(xiàn)多閾值電壓，使芯片能夠在較低電壓下執(zhí)行復(fù)雜計算，成為亟待解決的問題。 IBM表示，在2nm名義制程下，N型和P型半導(dǎo)體通道之間的距離相當(dāng)狹窄，需要精確的光刻技術(shù)才能在實(shí)現(xiàn)多閾值電壓的同時，不對半導(dǎo)體的性能產(chǎn)生巨大影響。為此，IBM與Rapidus聯(lián)合開發(fā)了兩種不同的選擇性減少層（SLR）芯片構(gòu)建工藝，成功克服了技術(shù)瓶頸。 在展示中，IBM詳細(xì)描述了其在多閾值電壓GAA晶體管方面的研究成果。IBM研究院的高級技術(shù)人員指出，與FinFET相比，Nanosheet納米片的結(jié)構(gòu)非常不同，技術(shù)復(fù)雜度也顯著提升。然而，IBM提出的新生產(chǎn)工藝比以往使用的方法更為簡單，這將使Rapidus在計劃大規(guī)模生產(chǎn)2納米片技術(shù)時，能夠更輕松地克服技術(shù)障礙，確保生產(chǎn)進(jìn)度。 Rapidus作為日本先進(jìn)的芯片制造商，一直致力于推動半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展。此次與IBM的合作，不僅展現(xiàn)了Rapidus在芯片研發(fā)方面的實(shí)力，也為其未來的2nm制程量產(chǎn)提供了有力支持。 多閾值電壓GAA晶體管的成功研發(fā)，不僅標(biāo)志著芯片技術(shù)的重大進(jìn)步，更為即將到來的2nm制程量產(chǎn)奠定了基礎(chǔ)。這一技術(shù)突破有望廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、個人電腦、云計算和人工智能等領(lǐng)域，推動諸多領(lǐng)域的創(chuàng)新與發(fā)展，改變?nèi)藗兊纳罘绞胶凸ぷ髂Ｊ健?/td> |
