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來源：TechWeb 10月31日，瀾起科技宣布在業(yè)界率先試產(chǎn)DDR5第三子代寄存時鐘驅(qū)動器芯片M88DR5RCD03，該芯片應用于DDR5 RDIMM內(nèi)存模組，旨在進一步提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問的速度及穩(wěn)定性，滿足新一代服務器平臺對容量、帶寬、訪問延遲等內(nèi)存性能的更高要求。 
作為國際領先的內(nèi)存接口芯片供應商，瀾起科技在DDR5內(nèi)存接口技術(shù)上持續(xù)精進，不斷推進產(chǎn)品升級迭代。公司新推出的DDR5 RCD03芯片支持高達6400MT/s的數(shù)據(jù)速率，相較第二子代提升14.3%，相較第一子代提升33.3%。 與DDR4世代的RCD產(chǎn)品相比，該款芯片采用雙通道架構(gòu)，支持更高的存儲效率和更低的訪問延時；采用1.1V VDD和1.0V VDDIO電壓及多種節(jié)電模式，功耗顯著降低；支持更高密度的DRAM，單模組最大容量可達256GB。 瀾起科技總裁Stephen Tai先生表示：“我們很榮幸在DDR5 RCD03芯片的研發(fā)和試產(chǎn)上均保持行業(yè)領先。瀾起將繼續(xù)與國際主流CPU和DRAM廠商緊密合作，助力DDR5服務器大規(guī)模商用。” 英特爾內(nèi)存與IO技術(shù)副總裁Dimitrios Ziakas博士表示：“英特爾一直處于DDR5內(nèi)存技術(shù)和生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展的前沿，支持可靠和可擴展的行業(yè)標準。我們很高興看到瀾起科技在DDR5最新一代的內(nèi)存接口芯片上取得了新進展，該芯片可與英特爾下一代E核和P核至強®CPU配合使用，助力CPU釋放強勁性能�！� 三星電子存儲器產(chǎn)品企劃團隊執(zhí)行副總裁Yongcheol Bae先生表示：“三星一直致力于最新一代內(nèi)存產(chǎn)品的研發(fā)和應用，以滿足數(shù)據(jù)密集型應用對內(nèi)存容量和帶寬迅猛增長的需求。我們期待與瀾起繼續(xù)保持穩(wěn)定的合作，不斷完善DDR5內(nèi)存產(chǎn)品標準，推進產(chǎn)品迭代和創(chuàng)新�！� 除了RCD芯片以外，瀾起科技還提供DDR5數(shù)據(jù)緩沖器（DB）、串行檢測集線器(SPD Hub)、溫度傳感器(TS)、電源管理芯片(PMIC)等內(nèi)存接口及模組配套芯片。這些芯片也是DDR5內(nèi)存模組的重要組件，可配合RCD芯片為DDR5內(nèi)存模組提供多種必不可少的功能和特性。 瀾起科技現(xiàn)可供貨第一子代、第二子代和第三子代DDR5寄存時鐘驅(qū)動器芯片，產(chǎn)品型號為M88DR5RCD01、M88DR5RCD02和M88DR5RCD03。 |
