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來(lái)源：大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 自日本佳能(Canon)官網(wǎng)獲悉，10月13日，佳能宣布推出FPA-1200NZ2C納米壓印半導(dǎo)體制造設(shè)備，該設(shè)備執(zhí)行電路圖案轉(zhuǎn)移，這是最重要的半導(dǎo)體制造工藝。 
（FPA-1200NZ2C 圖源:Canon) 據(jù)悉，除了現(xiàn)有的光刻系統(tǒng)外，佳能還將采用納米壓印(NIL)技術(shù)的半導(dǎo)體制造設(shè)備推向市場(chǎng)，擴(kuò)大其半導(dǎo)體制造設(shè)備陣容，以滿足從最先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備到現(xiàn)有設(shè)備的廣泛需求。 佳能官方介紹稱，其NIL技術(shù)可實(shí)現(xiàn)最小線寬14nm的圖形化，相當(dāng)于生產(chǎn)目前最先進(jìn)的邏輯半導(dǎo)體所需的5nm節(jié)點(diǎn)。隨著掩模技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)，納米壓印光刻有望實(shí)現(xiàn)最小線寬為10nm的電路圖案，相當(dāng)于2nm節(jié)點(diǎn)。此外，新產(chǎn)品采用新開(kāi)發(fā)的環(huán)境控制技術(shù)，可抑制設(shè)備內(nèi)細(xì)顆粒污染，使精細(xì)復(fù)雜電路的形成成為可能，有助于制造尖端半導(dǎo)體器件。 |
