東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。該器件采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開始批量出貨。
通過對柵極設(shè)計(jì)和工藝進(jìn)行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的單位面積漏源導(dǎo)通電阻降低了約13%，漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷（MOSFET性能的品質(zhì)因數(shù)）降低了約52%。這有助于確保該系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的雙重降低，并最終實(shí)現(xiàn)了開關(guān)電源效率的提高。 該新產(chǎn)品采用TOLL封裝，柵極驅(qū)動采用開爾文連接�？梢酝ㄟ^降低封裝中源極線電感的影響，增強(qiáng)MOSFET的高速開關(guān)性能，從而抑制開關(guān)過程中的振蕩。 未來，東芝將繼續(xù)擴(kuò)展600V DTMOSVI系列產(chǎn)品線，以及已發(fā)布的650V DTMOSVI系列產(chǎn)品，并通過降低開關(guān)電源的功率損耗來達(dá)到節(jié)約節(jié)能的目的。
圖1：漏極-源極導(dǎo)通電阻與柵漏電荷比較 應(yīng)用 - 數(shù)據(jù)中心（服務(wù)器開關(guān)電源等） - 光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器 - 不間斷電源系統(tǒng) 特性 - 低漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷，有助于提高開關(guān)電源的效率 主要規(guī)格 （除非另有說明，Ta＝25℃）
[1] 截至2023年6月 如需了解有關(guān)該新產(chǎn)品的更多信息，請?jiān)L問以下網(wǎng)址： TK055U60Z1 https://toshiba-semicon-storage. ... ail.TK055U60Z1.html 如需了解東芝MOSFET產(chǎn)品的更多信息，請?jiān)L問以下網(wǎng)址： MOSFET https://toshiba-semicon-storage. ... roduct/mosfets.html 如需了解有關(guān)該新產(chǎn)品在線分銷商網(wǎng)站的供貨情況，請?jiān)L問以下網(wǎng)址： TK055U60Z1 https://toshiba-semicon-storage. ... eck.TK055U60Z1.html | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
