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東芝推出具有更低導通電阻的小型化超薄封裝共漏極MOSFET,適用于快充設備

發(fā)布時間:2023-5-18 17:15    發(fā)布者:eechina
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”,該器件可用于移動設備鋰離子(Li-ion)電池組中的電池保護電路。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。



鋰離子電池組依靠高度穩(wěn)定的保護電路來減少充放電時產(chǎn)生的熱量,以提高安全性。這些電路必須具有低功耗和高密度封裝的特性,同時要求MOSFET小巧纖薄,且具有更低的導通電阻。

SSM14N956L采用東芝專用的微加工工藝,已經(jīng)發(fā)布的SSM10N954L也采用該技術。憑借業(yè)界領先[1]的低導通電阻特性實現(xiàn)了低功耗,而業(yè)界領先[1]的低柵源漏電流特性又保證了低待機功耗。這些特性有助于延長電池的使用時間。此外,新產(chǎn)品還采用了一種新型的小巧纖薄的封裝TCSPED-302701(2.74mm×3.0mm,厚度=0.085mm(典型值)。

東芝將繼續(xù)開發(fā)用于鋰離子電池組供電設備中的保護電路的MOSFET產(chǎn)品。

        應用
-        家用電器采用鋰離子電池組的消費類電子產(chǎn)品以及辦公和個人設備,包括智能手機、平板電腦、充電寶、可穿戴設備、游戲控制器、電動牙刷、迷你數(shù)碼相機、數(shù)碼單反相機等。

        特性
-        業(yè)界領先的[1]低導通電阻:RSS(ON)=1.1mΩ(典型值)@VGS=3.8V
-        業(yè)界領先的[1]低柵源漏電流:IGSS=±1μA(最大值)@VGS=±8V
-        小型化超薄TCSPED-302701封裝:2.74mm×3.0mm,厚度=0.085mm(典型值)
-        共漏極結構,可方便地用于電池保護電路

        主要規(guī)格

(除非另有說明,Ta=25℃)

器件型號
SSM14N956LSSM10N954L[2]
配置
N溝道共漏極
絕對最大額定值
源極-源極電壓VSSS(V)
12
柵極-源極電壓VGSS(V)
±8
源極電流(DC)IS(A)
2013.5
電氣特性柵源漏電流IGSS@VGS=±8V ±1
  最大值(μA)
源極-源極導通電阻RSS(ON)@VGS=4.5V12.1
  典型值(mΩ)@VGS=3.8V1.12.2
 @VGS=3.1V1.252.4
 @VGS=2.5V1.63.1
封裝
名稱
TCSPED-302701TCSPAC-153001
尺寸典型值(mm)
2.74×3,1.49×2.98,
厚度=0.085厚度=0.11
庫存查詢與購買
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[1] 截至2023年5月的東芝調(diào)查,與相同額定值的產(chǎn)品進行比較。
[2] 已發(fā)布產(chǎn)品。


如需了解有關新產(chǎn)品的更多信息,請訪問以下網(wǎng)址:
SSM14N956L
https://toshiba-semicon-storage. ... ail.SSM14N956L.html

如需了解有關新產(chǎn)品在線分銷商網(wǎng)站的供貨情況,請訪問以下網(wǎng)址:
SSM14N956L
https://toshiba-semicon-storage. ... eck.SSM14N956L.html


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