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ABLIC推出面向智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備的1節(jié)電池保護(hù)IC「S-821A/1B系列」

發(fā)布時(shí)間:2024-10-31 18:36    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 正端保護(hù) , 電池保護(hù)
- 通過(guò)正端保護(hù),確保鋼殼電池的安全性和可靠性 -

美蓓亞三美株式會(huì)社(MinebeaMitsumi Inc.) 旗下的艾普凌科有限公司(總裁:田中誠(chéng)司,總部地址:東京都港區(qū),下稱(chēng)“ABLIC”)今天推出使用N溝道MOSFET(※1)實(shí)現(xiàn)正端保護(hù)(※2)的1節(jié)電池保護(hù)IC「S-821A/1B系列」。

今天推出的新產(chǎn)品「S-821A/1B系列」是1節(jié)鋰離子電池保護(hù)IC,具有以下特點(diǎn):(1)通過(guò)將進(jìn)行充放電控制的N溝道MOSFET配置在鋰離子電池的正極側(cè)(正端),實(shí)現(xiàn)切斷電池正極側(cè)電流路徑的保護(hù)方式,同時(shí),電池組側(cè)和系統(tǒng)側(cè)的共地為簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)做出貢獻(xiàn)。另外,由于內(nèi)置有業(yè)界最高等級(jí)的3倍升壓充電泵,所以N溝道MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓高,降低了N溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻;(2)備有業(yè)界頂級(jí)精度的放電過(guò)電流保護(hù)(3段),能夠在安全的領(lǐng)域切斷異常電流;(3)過(guò)充電檢測(cè)電壓精度為±15mV,實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)的高精度化;(4)通過(guò)節(jié)電功能,在禁止電池放電的同時(shí),將保護(hù)IC的消耗電流降低到最大50nA,將電池的消耗電流抑制為近乎于0;(5)通過(guò)將NTC熱敏電阻與熱敏電阻連接端子(TH端子)連接,能夠?qū)崿F(xiàn)過(guò)熱保護(hù)功能。

(※1) MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor /金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)
(※2) 正端保護(hù):在電池的正極側(cè)與負(fù)載之間插入MOSFET,發(fā)生異常時(shí)通過(guò)關(guān)閉MOSFET來(lái)切斷通電路徑,保護(hù)電路及設(shè)備


Figure Example protection circuit using the S-821A Series

【主要特點(diǎn)】
1. 實(shí)現(xiàn)N溝道正端保護(hù)
2. 通過(guò)3段放電過(guò)電流保護(hù),實(shí)現(xiàn)更高的安全性
3. 過(guò)充電檢測(cè)電壓精度為±15mV,實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)的高精度
4. 通過(guò)節(jié)電功能可以抑制消耗電流
5. 通過(guò)連接NTC熱敏電阻,實(shí)現(xiàn)過(guò)熱保護(hù)功能

【應(yīng)用案例】
鋰離子可充電電池組、鋰聚合物可充電電池組

【S-821A/1B系列產(chǎn)品詳情】
S-821A:https://www.ablic.com/cn/semicon ... tection-ic/s-821aa/
S-821B:https://www.ablic.com/cn/semicon ... tection-ic/s-821ba/

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