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來源：大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 據(jù)報道，日前，恩智浦半導(dǎo)體與臺積電宣布合作，并推出業(yè)界首款采用16nm鰭式場效電晶體（FinFET）技術(shù)的車用嵌入式磁阻式隨機存取存儲器（Magnetic Random Access Memory；MRAM）。 恩智浦介紹稱，MRAM僅需約3秒就能更新20MB的代碼，能最大限度縮短軟件更新導(dǎo)致的停機時間，并讓汽車制造商消除因長時間模組編程而造成的瓶頸。此外，MRAM還能提供高達百萬次的更新周期，較NAND Flash和其他新興存儲器技術(shù)高出10倍，為車輛任務(wù)剖面（mission profile）提供高度可靠的技術(shù)。 臺積電16 FinFET嵌入式MRAM技術(shù)憑借其百萬周期耐用度、支援焊錫回焊、以及攝氏150度下還能保留數(shù)據(jù)達20年，超越車載應(yīng)用嚴(yán)格要求。 恩智浦半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁暨車用處理事業(yè)部總經(jīng)理Henri Ardevol表示：恩智浦與臺積電已合作數(shù)十年，MRAM是恩智浦S32車用解決方案系列的突破性新生力軍，支援下一代車輛架構(gòu)。 |
