SiCMOS管國產(chǎn)實(shí)現(xiàn)電壓650V-1200V-1700V-3300V-6500V，電流5A-150A 。
碳化硅MOS耐壓650V-1200V-1700V-3300V 國產(chǎn).pdf
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| 具有寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等 |
| 6500V 的MOS 好 |
| 碳化硅MOS耐壓650V-3300V和SiC模塊產(chǎn)品簡介https://pan.baidu.com/s/1EYxb29Lv-hLx9gt2K3Wuiw 提取碼x913 |
| 具有寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率 |
| 1700v 3300v SICMOS |
| 實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，可靠性和效率。 |
| 碳化硅MOS（SiC MOSFET）特性 電子工程網(wǎng) http://m.54549.cn/thread-841262-1-1.html |
| 寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率 頂！ |
碳化硅MOS晶圓 |
| 碳化硅SiC MOSFETs功率管柵極驅(qū)動(dòng)基礎(chǔ)知識 - 電子工程網(wǎng) http://m.54549.cn/thread-825360-1-1.html |
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碳化硅MOS管-SiC MODULE產(chǎn)品技術(shù)應(yīng)用簡介https://pan.baidu.com/s/1YVCvtntZntvY2XDpC5uuFw提取碼g4yd 國產(chǎn)碳化硅MOS |
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3300V 的 |
| 3300V碳化硅MOS業(yè)界領(lǐng)先的國產(chǎn)（SiC）功率器件 - 無源器件/分立半導(dǎo)體 - 電子工程網(wǎng) http://m.54549.cn/thread-857169-1-1.html |
| 碳化硅模塊（SiC模塊/MODULE）大電流下的驅(qū)動(dòng)器研究 - 電源技術(shù) - 電子工程網(wǎng) http://m.54549.cn/thread-856725-1-1.html |
| 碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)及SiC柵極驅(qū)動(dòng)器示例 - 模擬電子技術(shù) - 電子工程網(wǎng) http://m.54549.cn/thread-838162-1-1.html |
碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)及SiC柵極驅(qū)動(dòng)器示例 - 模擬電子技術(shù) - 電子工程網(wǎng) http://m.54549.cn/thread-838162-1-1.html |
