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來源：全球半導體觀察整理 英特爾中國區(qū)總裁王瑞在近期的一次活動中透露了英特爾各項制程的最新進展，王銳透露，Intel 7已經(jīng)批量生產(chǎn)，Intel 4今年下半年將會入場，Intel 3的進度也如預期良好，而最先進Intel20A（2納米級）、Intel 18A（1.8納米級）流片也已經(jīng)出來。 這些工藝將用于制造公司自己的產(chǎn)品，以及為其英特爾代工服務(IFS)部門的客戶生產(chǎn)的芯片。王瑞表示，但這并不意味著生產(chǎn)節(jié)點已準備好用于商業(yè)制造，而是英特爾已經(jīng)確定了這兩種技術的所有規(guī)格、材料、要求和性能目標。 
圖片來源：Intel官網(wǎng) 官方資料顯示，英特爾的20A制造工藝將依賴于全門控環(huán)繞RibbonFET晶體管，并采用背面供電。同時縮小金屬間距、引入全新的晶體管結構和背面供電是一項高風險的舉措，但預計20A將使英特爾超越臺積電和三星兩位強有力的競爭對手。 英特爾計劃在2024年上半年開始使用這個節(jié)點。按照目前行業(yè)各大企業(yè)進度看，英特爾的20A將是業(yè)界首個2nm級節(jié)點，在2024年，它將與臺積電專為提高晶體管密度和性能而設計的第三代3納米級（N3S、N3P）工藝技術展開競爭。 英特爾的18A制造工藝將進一步完善公司的RibbonFET和PowerVia技術，并縮小晶體管尺寸。該節(jié)點的開發(fā)進展順利，以至于英特爾將其推出時間從2025年提前到2024年下半年。英特爾最初計劃在其1.8埃節(jié)點上使用ASML的Twinscan EXE掃描儀，數(shù)值孔徑（NA）光學為0.55，但由于決定盡早使用該技術，它將不得不廣泛使用現(xiàn)有的Twinscan NXE掃描儀，光學NA為0.33，以及EUV雙重圖案。 該公司預計，當其1.8納米級制造技術在2024年下半年進入高產(chǎn)量制造時，它將成為行業(yè)最先進的節(jié)點。 英特爾的20A和18A制造工藝既為公司自身產(chǎn)品的生產(chǎn)開發(fā)，也將用于Intel Foundry Services (IFS)事業(yè)部為其代工客戶生產(chǎn)芯片。 在英特爾最新發(fā)布的2022年第四季度和全年財報中，英特爾營收和凈利數(shù)據(jù)皆不理想，創(chuàng)下近年來虧損新低。對此，王銳也援引行業(yè)觀點——體量如英特爾的半導體公司，全面轉(zhuǎn)型通常跨度需要4到5年——以期產(chǎn)業(yè)用更長遠的眼光，來看待這家正在完成自我革新的老牌巨頭。 英特爾的首席執(zhí)行官Pat Gelsinger在最近與分析師和投資者的電話會議上表示：“我們與10大代工客戶中的七家保持著積極的合作關系，并持續(xù)擴大合作伙伴生態(tài)系統(tǒng)的增長，目前已經(jīng)有43個潛在客戶和生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴進行測試芯片�！贝送�，我們在Intel 18A方面仍在取得進展，已經(jīng)與我們的主要客戶分享了PDK 0.5（工藝設計工具包）的工程版本，并預計在未來幾周內(nèi)發(fā)布最終生產(chǎn)版本。” |
