|
來源：快科技 最近幾年，臺積電及三星在半導(dǎo)體工藝上超越了Intel，后者在14nm節(jié)點之前都是全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體公司，然而在10nm節(jié)點面臨各種困難，給了對手可乘之機。 Intel在這個過程中是如何被超越的？CEO基辛格日前接受了采訪，特別提到了Intel在EUV光刻工藝上的選擇錯誤。 在EUV技術(shù)研發(fā)上，Intel是全球重要推手，ASML研發(fā)EUV光刻機也得到了Intel的不少幫助，但是Intel在10nm節(jié)點沒有選擇EUV光刻，而是嘗試了新的SAQP四重曝光技術(shù)，它們的目標(biāo)是不依賴EUV光刻機也能生產(chǎn)先進(jìn)工藝。 基辛格表示，當(dāng)初這個目標(biāo)是很好的，然而SAQP曝光工藝非常復(fù)雜，成本高，隨著時間的推移，Intel站在了EUV錯誤的一邊，基辛格表示當(dāng)時應(yīng)該至少有一個并行的EUV戰(zhàn)略才對。 基辛格所說的這個事其實就是過去幾年中Intel在10nm工藝上多次跳票的關(guān)鍵，這兩年才算是搞定了10nm工藝的量產(chǎn)，現(xiàn)在改名為Intel 7工藝。 至于EUV工藝，Intel現(xiàn)在也重視起來了，跟ASML的合作很好，今年底量產(chǎn)的Intel 4工藝就是Intel首個EUV工藝，用于首發(fā)量產(chǎn)14代酷睿Meteor Lake，明年上市。 |
