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MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有SRAM的高速讀取寫入能力，以及DRAM的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。MRAM具有接近零的靜態(tài)功耗，較高的讀寫速度，與互補金屬氧化物半導體（CMOS）工藝相兼容等優(yōu)點，在車用電子與穿戴設備等領域已實現(xiàn)商業(yè)化應用，被認為是最有希望的下一代存儲器之一。 MR4A08BCYS35是一款容量16Mb的磁阻隨機存取存儲器MRAM芯片，位寬2Mx8位字。提供與SRAM兼容的35ns的快速讀/寫周期，具有無限讀寫耐力，數(shù)據(jù)在超過20年的時間里始終是非易失性的。數(shù)據(jù)通過低壓抑制電路在斷電時自動保護，以防止電壓超出規(guī)格的寫入。是必須快速永久存儲和檢索關鍵數(shù)據(jù)和程序的應用的理想內存解決方案。 MR4A08BCYS35采用符合RoHS的小尺寸TSOP2封裝。封裝兼容與類似的低功耗SRAM產品和其他非易失性ram產品。通過更換電池供電的SRAM提高可靠性，實現(xiàn)更簡單、更高效的設計。在很寬的溫度范圍內提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲。更多產品相關信息Everspin代理請洽英尚微。 |
