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NV-SRAM（非易失性SRAM或NVRAM）是一種獨(dú)立的非易失性存儲器，業(yè)界最快的 NV-SRAM，具有無限的耐用性。能夠在斷電時(shí)立即捕獲 SRAM 數(shù)據(jù)的副本并將其保存到非易失性存儲器中，并允許在不消耗電力的情況下調(diào)用數(shù)據(jù)。非常適合需要快速寫入速度、高耐用性和即時(shí)非易失性的高性能可編程邏輯控制器 (PLC)、智能儀表和網(wǎng)絡(luò)路由器等數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用。 NV-SRAM的主要特征 快速訪問-以20ns的速度執(zhí)行隨機(jī)訪問讀寫 無限耐力-提供無限的寫入和讀取 節(jié)省空間-與BBSRAM相比占用更小的電路板空間 耐輻射-不受輻射引起的軟錯(cuò)誤的影響 NV-SRAM產(chǎn)品與EEPROM和BBSRAM（電池支持SRAM或BatRAM）解決方案相比，其消耗的有效電流更少。與電池支持的解決方案不同，NV-SRAM存儲器不需要外部電池來保持電量。因此NV-SRAM適用于智能電表等數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用。無限耐用性和即時(shí)非易失性確保NV-SRAM在多個(gè)數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中優(yōu)于現(xiàn)有存儲器（如EEPROM和BBSRAM）。
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