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120萬(wàn)億韓元建新廠,SK海力士要下一盤(pán)大棋?

發(fā)布時(shí)間:2021-3-31 10:41    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: SK海力士 , DRAM , NAND
來(lái)源:中國(guó)電子報(bào)
SK海力士CEO李錫熙希望,未來(lái)10年內(nèi),SK海力士能夠大規(guī)模量產(chǎn)采用10nm工藝的DRAM和600層堆疊的3D NAND。

最新消息顯示,SK海力士將投資120萬(wàn)億韓元(約合1060億美元)用于新的半導(dǎo)體工廠部署。相關(guān)人士透露,韓國(guó)已經(jīng)批準(zhǔn)了當(dāng)?shù)匦酒圃焐蘏K海力士的建設(shè)新半導(dǎo)體工廠的項(xiàng)目,SK海力士的新半導(dǎo)體工廠將設(shè)在首爾以南50公里的龍仁。

產(chǎn)能爆滿,SK海力士順勢(shì)擴(kuò)產(chǎn)

高通缺“芯”,臺(tái)積電缺水又沒(méi)光刻膠, 三星關(guān)閉美國(guó)最大晶圓廠,全球半導(dǎo)體廠商交貨延期開(kāi)啟“接力”模式,大眾、豐田等汽車(chē)廠商因芯片缺貨潮被迫停產(chǎn)……從汽車(chē)芯片到手機(jī)芯片,在全球芯片供應(yīng)短缺的大背景下,近期存儲(chǔ)芯片同樣缺貨嚴(yán)重。

一邊是供不應(yīng)求的產(chǎn)能,一邊是日益高漲的市場(chǎng)“呼聲”,即使是“加價(jià)不加量”,也極有可能拿不到DRAM芯片。為何DRAM需求如此吃緊?根據(jù)SK海力士方面預(yù)測(cè),全球主要企業(yè)的新數(shù)據(jù)中心投資將引領(lǐng)服務(wù)器DRAM需求的增加。

此外,進(jìn)入2021年以來(lái),5G智能手機(jī)的出貨量逐漸擺脫了去年新冠肺炎疫情的影響,一路“節(jié)節(jié)高升”。受巨大終端市場(chǎng)需求驅(qū)動(dòng),移動(dòng)端DRAM需求亦水漲船高,造成業(yè)界供給增量有限、整體供給低于需求的局面。市場(chǎng)需求暴漲、供應(yīng)嚴(yán)重吃緊,作為全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)的一大巨頭,SK海力士的產(chǎn)能已經(jīng)爆滿,因此擴(kuò)產(chǎn)可謂順勢(shì)而為、勢(shì)在必行。

此前,SK海力士產(chǎn)業(yè)投資主席李丙德曾表示,公司正積極應(yīng)對(duì)芯片供應(yīng)緊張的局面,在積極滿足市場(chǎng)需求的同時(shí),將努力擴(kuò)大戰(zhàn)略性產(chǎn)品的比重,F(xiàn)在看來(lái),耗巨資來(lái)建工廠似乎是“積極應(yīng)對(duì)芯片供應(yīng)緊張局面”的重要舉措之一。

擴(kuò)產(chǎn)背后,或有更大一盤(pán)局

除了建造新廠來(lái)擴(kuò)大產(chǎn)能、滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求之外,李丙德口中的SK海力士似乎更為“深謀遠(yuǎn)慮”。記者注意到,日前李丙德有提到SK海力士將“努力擴(kuò)大戰(zhàn)略性產(chǎn)品的比重”。簡(jiǎn)單的擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作背后,SK海力士或?qū)⒃傧乱槐P(pán)更大的“棋局”。

李丙德的說(shuō)法與SK海力士CEO李錫熙的講話內(nèi)容形成了呼應(yīng)。在今日舉行的IEEE國(guó)際可靠性物理研討會(huì)(IRPS)上,李錫熙對(duì)SK海力士的核心業(yè)務(wù)——DRAM和NAND芯片進(jìn)行了細(xì)致描摹。

目前,SK海力士最新的3D NAND是512Gb 176層堆疊的3D NAND,但3D NAND有沒(méi)有可能用600層堆疊比起176層堆疊的3D NAND,600層似乎是對(duì)現(xiàn)有工藝和技術(shù)的極大挑戰(zhàn)。但是,根據(jù)李錫熙分享的有關(guān)SK海力士的業(yè)務(wù)計(jì)劃,600層堆疊的3D NAND并非完全空想。

李錫熙稱,SK海力士已經(jīng)開(kāi)始了實(shí)現(xiàn)這種可能性的研發(fā)進(jìn)程。DUV光刻技術(shù)存在局限性,而通過(guò)引入和積極使用EUV光刻技術(shù),能夠克服來(lái)自材料、結(jié)構(gòu)、可靠性等方面的種種挑戰(zhàn),使制程工藝輕易達(dá)到10nm以下,以此提升生產(chǎn)效率。

李錫熙希望,未來(lái)10年內(nèi),SK海力士能夠大規(guī)模量產(chǎn)采用10nm工藝的DRAM和600層堆疊的3D NAND。當(dāng)然,愿望的實(shí)現(xiàn)從來(lái)都不是一蹴而就的。比如,為了保持單元電容,就需要改善電介質(zhì)厚度,開(kāi)發(fā)具有高介電常數(shù)的新材料,并采用新的單元結(jié)構(gòu)。由于這些單元的互連需要盡可能低的電阻,SK海力士正在尋找新一代電極與絕緣材料,并且推出新的工藝。



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