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隨著無鉛技術(shù)在全球的推廣，NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM（BBSRAM）技術(shù)相比較。 BBSRAM 數(shù)據(jù)保留時間和產(chǎn)品使用壽命 •電池電量耗盡（在商業(yè)系統(tǒng)中通常為4到7年）后，BBSRAM不再作為非易失性存儲器操作。 •下面兩個主要因素會降低電池使用壽命： -存儲器電路的漏電流—該因素取決于存儲器對電流的要求，它還決定了電池在室溫條件下的使用壽命。 -電解液蒸發(fā)—在溫度為70°C的條件下，蒸發(fā)速率 •便是電池與存儲器斷開導(dǎo)致其使用壽命縮短的速率。 •通常在溫度為85°C的條件下，即使從未給器件充電，電池的使用壽命也不能超過兩年。 •在低溫條件下，電池維持的電流能力也會下降。 •在溫度為–40°C的條件下，大致相同的機(jī)制會使汽車電池的化學(xué)成分在低溫條件下無效，從而導(dǎo)致電池的供電能力降低20%。 •不受控制的斷電序列會對電池的使用壽命造成不利影響。特別是斷電時的警報導(dǎo)致的VCC下沖會耗盡電池電量。如果斷電器件CE不能維持高電平狀態(tài)，那么可能會發(fā)生意外的讀/寫操作。這些周期對全電流的要求會降低電池的使用壽命。 性能 •有電池供電的器件必須要優(yōu)化待機(jī)功耗，以便最大化數(shù)據(jù)保留時間并減少訪問時間。 •4Mb大小的BBRAM的最快訪問時間為70ns到100ns。 NV-SRAM •NV-SRAM保證20年的數(shù)據(jù)保留時間和一百萬次的存儲操作。 •NV-SRAM中的非易失性存儲器單元便是一個EEPROM單元。該單元包括在導(dǎo)體和硅表面間放置的氮化物絕緣體和薄氧化物絕緣體。編程電荷存儲在氮化物絕緣體內(nèi)。各個導(dǎo)體間的電場會控制氮化物絕緣體內(nèi)電荷的注入。 •絕緣體保持電荷的能力決定了數(shù)據(jù)的保留時間。當(dāng)存儲單元被循環(huán)或溫度增高時，絕緣體會使更多電荷被泄漏。器件的保存溫度和執(zhí)行存儲操作的次數(shù)決定了NV-SRAM中數(shù)據(jù)的保留時間。 •使用溫度加速因素檢測賽普拉斯所有NV-SRAM器件，從而保證這些器件在最高溫度下維持操作時符合最終指定存儲周期內(nèi)的全部保留規(guī)格 性能 •某個NV-SRAM中的SRAM部分與使用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)6T單元中的標(biāo)準(zhǔn)SRAM完全相同。因此其性能規(guī)范同標(biāo)準(zhǔn)的SRAM相同，電流訪問時間為20ns到45ns。 在數(shù)據(jù)保留時間、訪問時間和封裝大小等方面，與BBSRAM器件相比，NV-SRAM具有明顯的優(yōu)勢。對于要求幾乎為無限次的耐久性、長期保留數(shù)據(jù)和高速訪問存儲在存儲器中的數(shù)據(jù)等問題的系統(tǒng)，NV-SRAM是優(yōu)先的選擇。 |
| NV-SRAM中的非易失性存儲器單元便是一個EEPROM單元。該單元包括在導(dǎo)體和硅表面間放置的氮化物絕緣體和薄氧化物絕緣體。編程電荷存儲在氮化物絕緣體內(nèi)。各個導(dǎo)體間的電場會控制氮化物絕緣體內(nèi)電荷的注入。 |
