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新興的記憶已經(jīng)存在了數(shù)十年。盡管有些人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)嵌入式技術(shù)在商業(yè)上取得了一定程度的成功，但它們也落后于離散存儲器的高性價比替代方案。盡管具有更高的性能，耐用性和保留性，或者降低了功耗。 磁阻隨機(jī)存取存儲器（MRAM）最早于1980年代開發(fā)，并被推廣為通用存儲器。與其他存儲技術(shù)不同，MRAM將數(shù)據(jù)存儲為磁性元素，而不是電荷或電流。在性能方面由于使用足夠的寫入電流，因此MRAM與SRAM類似。但是這種依賴性也妨礙了它以更高的密度與DRAM和閃存競爭的能力。 盡管諸如Everspin之類的MRAM先驅(qū)已經(jīng)在離散應(yīng)用的嵌入式市場中取得了一些成功，甚至證明它可以處理汽車應(yīng)用的極端環(huán)境，但MRAM仍然是一個利基存儲器。 類似電阻式隨機(jī)存取存儲器（ReRAM）尚未成為可行的分立存儲器。甚至它在嵌入式市場上的成功也受到了限制。與傳統(tǒng)的嵌入式閃存技術(shù)相比，它的吸引力包括更低的功耗，更少的處理步驟和更低的電壓。它還具有太空和醫(yī)療應(yīng)用的輻射耐受性。 在過去的二十年中，數(shù)家公司一直在開發(fā)ReRAM技術(shù)，但是該方法仍然面臨集成和可靠性方面的挑戰(zhàn)。像磁阻電阻一樣，ReRAM供應(yīng)商在開發(fā)嵌入式ReRAM器件方面取得了一些進(jìn)展，以增加可用于分立開發(fā)工作的收入。Weebit Nano與研究合作伙伴Leti合作，以使分立的ReRAM在商業(yè)上可行。同時繼續(xù)探索該記憶在神經(jīng)形態(tài)和AI應(yīng)用中的潛力。 Weebit NAno的ReRAM技術(shù)使用了兩個金屬層，中間有一個氧化硅層，由可用于現(xiàn)有生產(chǎn)線的材料組成。 其ReRAM技術(shù)的吸引力在于，它利用了可用于現(xiàn)有生產(chǎn)線的材料。 一旦FRAM和MRAM及ReRAM通過資格審查，這將在嵌入式應(yīng)用程序中創(chuàng)造一個機(jī)會。MRAM和ReRAM仍然是新興的存儲器，與此同時其客戶正在意識到對快速，廉價內(nèi)存（如DRAM）的需求。這是一種廉價的內(nèi)存擴(kuò)展功能。它允許低成本和內(nèi)存密集型應(yīng)用程序。 |
| 磁阻隨機(jī)存取存儲器（MRAM）最早于1980年代開發(fā)，并被推廣為通用存儲器。與其他存儲技術(shù)不同，MRAM將數(shù)據(jù)存儲為磁性元素，而不是電荷或電流。在性能方面由于使用足夠的寫入電流，因此MRAM與SRAM類似。但是這種依賴性也妨礙了它以更高的密度與DRAM和閃存競爭的能力。 |
