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Cypress 16兆字節(jié)快速異步SRAM﹐其存取時間小于10ns。異步SRAM內(nèi)含l億多個晶體管﹐采用6個晶體管存儲單元﹐是該公司4兆字節(jié)快速異步SRAM的后續(xù)產(chǎn)品.Cypress負(fù)責(zé)這種新SRAM設(shè)計(jì)流程中﹐從概念設(shè)計(jì)到交付生產(chǎn)的每一個階段。第一塊硅片已初步定型﹐最初結(jié)果顯示存取時間將遠(yuǎn)低于10ns .該設(shè)計(jì)是用0.16微米CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的﹐芯片的面積超過120000平方密耳。 盡管該公司早先的異步SRAM設(shè)計(jì)是使用高電壓晶體管實(shí)現(xiàn)的﹐但是新的SRAM采用雙電壓晶體管和雙柵氧化物工藝﹐因而只使用低壓晶體管﹔所以降低了芯片成本。然而該器件仍能承受高電壓。在雙柵氧化物實(shí)現(xiàn)過程中﹐芯片的一部分留給了高壓晶體管﹔諸如調(diào)節(jié)電路﹑加電復(fù)位電路和輸入輸出緩沖器等均使用高壓晶體管來實(shí)現(xiàn)﹐而在新SRAM中所有晶體管都是低壓晶體管。設(shè)計(jì)師們采用了一些耐高壓技術(shù)﹐其中包括將晶體管級聯(lián)起來﹐以使加到晶體管的柵極―源級電壓都不超過2.5V. 為保證更快的存取時間﹐新SRAM的一個關(guān)鍵設(shè)計(jì)目標(biāo)是不管外部Vcc如何變化﹐都能確保芯片上的Vcc保持恒定不變。如果芯片的外部Vcc發(fā)生變化﹐例如從2.2V變?yōu)?.8V﹐芯片的內(nèi)部Vcc則僅為2V。如果外部Vcc從2.2V變化到4V﹐該芯片則保持相同的存取時間。用0.16微米CMOS工藝制造SRAM這一決定也要求采用低壓技術(shù)。在線寬為0.16微米時不可能使用高壓技術(shù)﹐因?yàn)槟阋獙?-切都縮小,一旦你縮小了柵極氧化物﹐你就得降低供電電壓﹐這樣你就需要一個穩(wěn)壓器。cypress代理宇芯電子提供驅(qū)動例程等產(chǎn)品解決方案。 |
