|
雙片器件結(jié)合集成式肖特基二極管提高功率密度和效率，所需PCB空間比6 mm x 5 mm封裝減少65 % Vishay推出新款30 V n溝道MOSFET半橋功率級(jí)模塊---SiZF300DT，將高邊TrenchFET和低邊SkyFET MOSFET與集成式肖特基二極管組合在一個(gè)小型PowerPAIR 3.3 mm x 3.3 mm封裝中。Vishay Siliconix SiZF300DT提高了功率密度和效率，同時(shí)有助于減少元器件數(shù)量，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，適用于計(jì)算和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換。 
日前發(fā)布器件中的兩個(gè)MOSFET采用半橋配置內(nèi)部連接。 通道1 MOSFET在10 V和4.5 V條件下，最大導(dǎo)通電阻分別為4.5 m和7.0 m。通道2 MOSFET在10 V和4.5 V條件下，導(dǎo)通電阻分別為1.84 m和2.57 m。兩個(gè)MOSFET典型柵極電荷分別為6.9 nC和19.4 nC。 SiZF300DT比6mm x 5mm封裝類似導(dǎo)通電阻的雙片器件節(jié)省65 %的空間，是市場(chǎng)上最緊湊的集成產(chǎn)品之一。器件為設(shè)計(jì)人員提供節(jié)省空間的解決方案，適用于圖形加速卡、計(jì)算機(jī)、服務(wù)器以及通信和RF網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的負(fù)載點(diǎn)（POL）轉(zhuǎn)換、電源以及同步降壓和DC / DC轉(zhuǎn)換器。 雙MOSFET采用獨(dú)特的引腳配置結(jié)構(gòu)，電流相位輸出電流比相同占位面積的同類產(chǎn)品高11 %，此外，輸出電流超過(guò)20 A時(shí)具有更高的效率。器件引腳配置和大PGND 焊盤還可以增強(qiáng)散熱，優(yōu)化電路，簡(jiǎn)化PCB布局。 SiZF300DT 經(jīng)過(guò)100 % Rg和UIS測(cè)試，符合RoHS要求標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素。 新款雙MOSFET模塊現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨供貨周期為12周。 |
